[发明专利]一种采用耦合矩阵合成的直接耦合滤波放大器

权利要求书

1.一种采用耦合矩阵合成的直接耦合滤波放大器，包括基板(18)、附着在基板(18)上表面的带通微带滤波器、传输线、晶体管(8)，所述传输线包括传输线输入线(15)和传输线输出线(9)，其特征在于：所述带通微带滤波器包括第一谐振器和第二谐振器，所述第一谐振器包括依次连接成“U”型结构的第一微带线(17)、第二微带线(14)和第三微带线(16)，所述第二谐振器包括依次连接成“U”型结构的第四微带线(19)、第五微带线(2)和第六微带线(20)，所述第一谐振器与所述第二谐振器依次间隔排列，所述第一谐振器的开口向上，所述第二谐振器开口向下，所述第一谐振器的一边通过耦合间隙(1)与第二谐振器的一边耦合；

所述晶体管(8)位于所述第二谐振器的右侧，所述晶体管(8)的阴极通过中间连接带(21)与第六微带线(20)连接，所述传输线输入线(15)与第一微带线(17)相连，所述传输线输出线(9)与晶体管(8)的阳极连接，所述传输线输出线(9)上垂直连接有三通带(22)。

2.根据权利要求1所述的采用耦合矩阵合成的直接耦合滤波放大器，其特征在于：还包括附着在基板(18)上的第一扇区(11)和第二扇区(5)；所述第一扇区(11)位于所述晶体管(8)的左下方且通过第一偏置带(10)与所述中间连接带(21)连接，所述第二扇区(5)位于所述晶体管(8)的右上方且通过第二偏置带(6)与所述传输线输出线(9)连接。

3.根据权利要求2所述的采用耦合矩阵合成的直接耦合滤波放大器，其特征在于：还包括附着在基板(18)上的第一焊盘(13)和第二焊盘(3)，所述第一焊盘(13)设置在所述第一偏置带(10)的一侧，所述第一焊盘(13)通过第一连接带(12)连接在第一扇区(11)与第一偏置带(10)的连接处，所述第二焊盘(3)设置在所述第二偏置带(6)的一侧，所述第二焊盘(3)通过第二连接带(4)连接在第二扇区(5)与第二偏置带(6)的连接处。

4.根据权利要求2所述的采用耦合矩阵合成的直接耦合滤波放大器，其特征在于：所述晶体管(8)余下的两个引脚通过金属化的通孔(7)接地。

5.根据权利要求1所述的采用耦合矩阵合成的直接耦合滤波放大器，其特征在于：

第一微带线(17)的长度为4.10mm，线宽为0.78mm；

第二微带线(14)和第五微带线(2)的长度为0.76mm，线宽为0.78mm；

第三微带线(16)和第四微带线(19)的长度为3.15mm，线宽为0.78mm；

第六微带线(20)的长度为3.88mm，线宽为0.78mm；

中间连接带(21)的长度为1.10mm，线宽为1.20mm；

耦合间隙(1)的宽度为0.25mm；

第一谐振器与传输线输入线(15)的抽头点至第二微带线(14)下边沿的距离(C1)为0.43mm；

第二谐振器与中间连接带(21)的抽头点至第五微带线(2)的上边沿的距离(C2)为0.38mm；

所述三通带(22)的长度(T2)为3.10mm，线宽为0.78mm，所述三通带(22)与传输线输出线(9)的抽头点至传输线输出线(9)左端沿的距离(T1)为3.8mm；

传输线的宽度为0.78mm。