[发明专利]印制线路板废水的处理方法及处理装置

权利要求书

1.一种印制线路板废水的处理方法，其特征在于，所述处理方法包括：

向待处理废水中加入碱性试剂，以使得所述待处理废水中游离态铜离子反应生成氢氧化铜沉淀物，并去除所述氢氧化铜沉淀物，以获取上清液；

对所述上清液中的络合态铜离子进行破络处理，并使得所述络合态铜离子反应生成固体沉淀物，去除所述固体沉淀物，以得到处理后的废水。

2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，向待处理废水中加入碱性试剂，以使得所述待处理废水中游离态铜离子反应生成氢氧化铜沉淀物，并去除所述氢氧化铜沉淀物，以获取上清液的步骤，包括：

在搅拌条件下，向所述待处理废水中加入碱性试剂，调节所述待处理废水的pH值，并反应第一时间，使得所述待处理废水中游离态铜离子反应生成氢氧化铜沉淀物，得到氢氧化铜悬浊液；

在搅拌条件下，向所述氢氧化铜悬浊液中加入第一絮凝剂，并反应第二时间，以对所述氢氧化铜沉淀物进行絮凝；

对絮凝后的氢氧化铜沉淀物进行沉淀处理，并在去除絮凝后的氢氧化铜沉淀物后得到所述上清液。

3.根据权利要求2所述的处理方法，其特征在于，在搅拌条件下，向所述待处理废水中加入碱性试剂，调节所述待处理废水的pH值，并反应第一时间，使得所述待处理废水中游离态铜离子反应生成氢氧化铜沉淀物，得到氢氧化铜悬浊液的步骤，包括：

在搅拌转速为120-180r/min的搅拌条件下，向所述待处理废水中加入NaOH、KOH中的至少一种，调节所述待处理废水的pH值，并反应5-20min，使得所述待处理废水中游离态铜离子反应生成氢氧化铜沉淀物，得到氢氧化铜悬浊液；

在搅拌条件下，向所述氢氧化铜悬浊液中加入第一絮凝剂，并反应第二时间，以对所述氢氧化铜沉淀物进行絮凝的步骤，包括：

在搅拌转速为60-100r/min的搅拌条件下，向所述氢氧化铜悬浊液中加入聚丙烯酰胺，并反应5-20min，以对所述氢氧化铜沉淀物进行絮凝；

对絮凝后的氢氧化铜沉淀物进行沉淀处理，并在去除絮凝后的氢氧化铜沉淀物后得到所述上清液的步骤，包括：

将絮凝后的氢氧化铜沉淀物在0.5-1.0m³/(m²·h)的负荷下进行沉淀处理，并在去除絮凝后的氢氧化铜沉淀物后得到所述上清液。

4.根据权利要求2所述的处理方法，其特征在于，在搅拌条件下，向所述待处理废水中加入碱性试剂，调节所述待处理废水的pH值，并反应第一时间，使得所述待处理废水中游离态铜离子反应生成氢氧化铜沉淀物，得到氢氧化铜悬浊液的步骤，包括：

在搅拌转速为150r/min的搅拌条件下，向所述待处理废水中加入NaOH，调节所述待处理废水的pH值为9-10，并反应20min，使得所述待处理废水中游离态铜离子反应生成氢氧化铜沉淀物，得到氢氧化铜悬浊液；

在搅拌条件下，向所述氢氧化铜悬浊液中加入第一絮凝剂，并反应第二时间，以对所述氢氧化铜沉淀物进行絮凝的步骤，包括：

在搅拌转速为80r/min的搅拌条件下，向所述氢氧化铜悬浊液中加入5mg/L且质量分数为0.1％的聚丙烯酰胺，并反应20min，以对所述氢氧化铜沉淀物进行絮凝；

对絮凝后的氢氧化铜沉淀物进行沉淀处理，并在去除絮凝后的氢氧化铜沉淀物后得到所述上清液的步骤，包括：

将絮凝后的氢氧化铜沉淀物在1.0m³/(m²·h)的负荷下进行沉淀处理，并在去除絮凝后的氢氧化铜沉淀物后得到所述上清液。

5.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，对所述上清液中的络合态铜离子进行破络处理，并使得所述络合态铜离子反应生成固体沉淀物，去除所述固体沉淀物，以得到处理后的废水的步骤，包括：

在搅拌条件下，向调节pH值后的所述上清液中加入破络试剂，反应第三时间，对所述上清液中的络合态铜离子进行破络处理并使得所述络合态铜离子反应生成所述固体沉淀物，得到沉淀物悬浊液；

在搅拌条件下，向所述沉淀物悬浊液中加入混凝剂和第二絮凝剂，并反应第四时间，以对所述固体沉淀物进行絮凝；

对絮凝后的所述固体沉淀物进行沉淀处理，并在去除所述固体沉淀物后得到所述处理后的废水。