[发明专利]显示模组及其制备方法、显示面板有效
申请号: | 201910754141.5 | 申请日: | 2019-08-15 |
公开(公告)号: | CN110473882B | 公开(公告)日: | 2022-04-26 |
发明(设计)人: | 陈建军;张灵佳 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人: | 黄俊 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 模组 及其 制备 方法 面板 | ||
本发明提供了一种显示模组及其制备方法、显示面板,通过将设置于第一金属层和第二金属层之间的介电层上的过孔使用金属层填充,以实现第一金属层和第二金属层之间的导通,并且通过填充过孔,避免在邦定时设置于第一金属层和介电层之间的第一导电胶层和设置于第二金属层和介电层之间的第二导电胶层中的导电粒子进入过孔而造成导电粒子的压缩度不足,从而保证了导电粒子之间的良好接触,并且增加了导电粒子与第一金属层、第二金属层之间的接触面积,从而提高了导电粒子与第一金属层、第二金属层之间的导电性。
技术领域
本发明涉及显示屏领域,具体涉及一种显示模组及其制备方法、显示面板。
背景技术
随着显示屏的发展,泛在屏时代慢慢融入生活,人们对屏幕的显示和使用效果的需求不断提升,对显示屏的分辨率越来越高,高PPI产品的设计和研发愈发重要,高分辨率显示是显示技术中的重要前沿方向之一。
然而,显示屏的PPI越高,集成电路芯片的输出端走线就越密集,从而导致集成电路芯片的输出管脚换线的过孔也越多,而在邦定(bonding)时由于导电胶中的导电粒子会进入过孔内,从而导致该过孔换线处的导电粒子在邦定时压缩度降低且与集成电路芯片的接触面积减小,从而,降低了导电胶的导电效果。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例致力于提供一种显示模组及其制备方法,通过将介电层上的过孔填充,以保证导电胶层中的导电粒子在邦定过程中能够很好的被压缩,增加导电粒子与金属层之间的接触面积且保证了导电粒子之间的良好接触,从而解决上述导电胶层的导电效果不好的问题。
根据本发明的一方面,本发明一实施例提供的一种显示模组,包括:层叠设置的第一金属层和第二金属层;设置于所述第一金属层和第二金属层之间的介电层,其中所述介电层上设置至少一个贯穿所述介电层并连通所述第一金属层和所述第二金属层的过孔;设置于所述第一金属层和所述介电层之间的第一导电胶层;设置于所述第二金属层和所述介电层之间的第二导电胶层;以及填充所述过孔的填补层,其中所述填补层为金属层。
在一实施例中,所述填补层的的厚度等于所述过孔的深度。
在一实施例中,所述填充层的材质与所述第一金属层的材质相同,和/或所述填充层的材质与所述第二金属层的材质相同。
在一实施例中,所述填充层的材质包括钛/铝/钛合金。
在一实施例中,所述过孔的形状包括长方体或圆柱体。
在一实施例中,所述介电层的材质包括氮化硅或氧化硅。
根据本发明的另一方面,本发明一实施例提供的一种显示面板,包括如上任一项所述的显示模组。
根据本发明的另一方面,本发明一实施例提供的一种显示模组的制备方法,包括:在基板上表面制备第一金属层;在所述第一金属层上表面制备第一导电胶层;在所述第一导电胶层上表面制备介电层,其中所述介电层上包括至少一个贯穿所述介电层的过孔;在所述过孔中制备填补层以填充所述过孔;在所述介电层上表面制备第二导电胶层;以及在所述第二导电胶层上表面制备第二金属层。
在一实施例中,所述在所述过孔中制备填补层以填充所述过孔包括:在所述介电层上表面及所述过孔内制备所述填补层;以及将所述介电层上表面的所述填补层刻蚀掉。
在一实施例中,在所述第二导电胶层上表面制备第二金属层之后,所述方法还包括:对所述第一金属层和所述第二金属层进行邦定。
本发明实施例提供的显示模组,通过将设置于第一金属层和第二金属层之间的介电层上的过孔使用金属层填充,以实现第一金属层和第二金属层之间的导通,并且通过填充过孔,避免在邦定时第一导电胶层和第二导电胶层中的导电粒子进入过孔而造成导电粒子的压缩度不足,从而保证了导电粒子之间的良好接触,并且增加了导电粒子与第一金属层、第二金属层之间的接触面积,从而提高了导电粒子与第一金属层、第二金属层之间的导电性。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的