[发明专利]半导体结构、驱动芯片和半导体结构的制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域、第二区域以及位于所述第一区域和第二区域之间隔离区域，

位于所述隔离区域中的隔离部件，所述隔离部件用于复合由所述第一区域向所述第二区域方向流动的第一载流子，且用于抽取由所述第二区域向所述第一区域方向流动的第二载流子，

其中，所述第一载流子为空穴载流子，第二载流子为电子载流子，所述隔离部件,与所述半导体衬底相邻部分为N型掺杂，且所述隔离部件接的电位高于所述半导体衬底的电位，所述隔离部件包括沟槽和位于所述隔离区域表面且与沟槽接触的N型接触区；所述第一载流子为电子载流子，第二载流子为空穴载流子，所述隔离部件与所述半导体衬底相邻部分为P型掺杂或为包含金属的导电材料，所述隔离部件所接的电位不高于所述半导体衬底所接的电位，所述隔离部件包括沟槽和位于所述隔离区域表面且与沟槽接触的P型接触区。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一载流子为空穴载流子，第二载流子为电子载流子，所述半导体衬底为P型半导体衬底，所述第一区域具有N型的第一阱区，所述第一阱区和第二区域中分别设置有第一N型金属氧化物半导体场效应晶体管和第二N型金属氧化物半导体场效应晶体管，

位于所述第一N型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极区域中的P型体区、所述第一阱区以及所述半导体衬底构成寄生的PNP晶体管，

所述第一阱区、半导体衬底以及所述第二N型金属氧化物半导体场效应晶体管中的N型区域构成寄生的NPN晶体管，所述N型区域与所述半导体衬底相邻，

当所述PNP晶体管导通时，所述第一载流子由经所述PNP晶体管向所述第二区域方向流动，

当所述NPN晶体管导通时，所述第二载流子由经所述NPN晶体管向所述第一区域方向流动。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第二区域中具有N型的第二阱区，所述第二N型金属氧化物半导体场效应晶体管设置在所述第二阱区中，

所述N型区域为所述第二阱区。

4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一N型金属氧化物半导体场效应晶体管的漏电极接第一电位，源电极耦合到所述第二N型金属氧化物半导体场效应晶体管的漏电极，

所述第二N型金属氧化物半导体场效应晶体管的源电极接第二电位，

所述第一电位大于所述第二电位。

5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，

所述第一N型金属氧化物半导体场效应晶体管为第一半桥电路的高压侧晶体管，所述第二N型金属氧化物半导体场效应晶体管第二半桥电路的低压侧晶体管，

所述第一N型金属氧化物半导体场效应晶体管的源电极通过感性元件耦合到所述第二N型金属氧化物半导体场效应晶体管的漏电极。

6.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一N型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极位于所述P型体区中。

7.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离部件所接的电位与所述第一电位相同。

8.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离部件包括：

沿厚度方向，由所述隔离区域表面向所述半导体衬底内部延伸的沟槽，

以及填充在所述沟槽中的N型掺杂的多晶硅，

沿所述厚度方向，所述隔离部件在所述半导体衬底中延伸的深度大于所述第一阱区在所述半导体衬底中的延伸深度。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离部件还包括位于所述隔离区域表面且与所述沟槽接触的N型接触区。