[发明专利]采用双S-PIN固态等离子体结构的缝隙天线有效
| 申请号： | 201910748369.3 | 申请日： | 2019-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN110518360B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 刘少斌;徐岩;周永刚;陈鑫 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01Q13/10 | 分类号： | H01Q13/10;H01Q1/48;H01Q3/00;H01Q5/20;H01Q5/307 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 张婧 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 采用 pin 固态 等离子体 结构 缝隙 天线 | ||
1.一种采用双S-PIN固态等离子体结构的缝隙天线，其特征在于，包括介质基板(8)、位于介质基板上的若干个依次排列开设的凹槽以及填充在该凹槽内的若干个相互独立的双S-PIN固态等离子体结构(11)，所述介质基板(8)和双S-PIN固态等离子体结构(11)上铺设有金属地板(9)，该金属地板(9)沿双S-PIN固态等离子体结构排列方向开设缝隙(10)，其中重掺杂N+区(4)位于缝隙外的介质基板内；所述双S-PIN固态等离子体结构包括自下而上依次设置的衬底基板(1)、绝缘层(2)和固态等离子体区，该固态等离子体区包括由重掺杂P+区(3)、重掺杂N+区(4)和本征层I区(5)构成的2个相互对称的PIN结构，每一重掺杂P+区(3)上方铺设有一正极金属电极(6)，每一重掺杂N+区(4)上方铺设有一负极金属电极(7)；所述重掺杂N+区(4)为2个，对称分布于重掺杂P+区(3)两侧，重掺杂P+区(3)和重掺杂N+区(4)之间隔有本征层I区(5)，且重掺杂N+区(4)、重掺杂P+区(3)和重掺杂N+区(4)三者等高；所述正极金属电极(6)上施加偏置电压，用于改变固态等离子体区的载流子浓度，使双S-PIN固态等离子体结构呈现介质特性或者类金属特性；所述负极金属电极(7)通过金属化过孔或与金属地板相接触进行接地。
2.根据权利要求1所述的采用双S-PIN固态等离子体结构的缝隙天线，其特征在于：所述衬底基板(1)为硅衬底。
3.根据权利要求1所述的采用双S-PIN固态等离子体结构的缝隙天线，其特征在于：所述绝缘层(2)为SiO2层。
4.根据权利要求1所述的采用双S-PIN固态等离子体结构的缝隙天线，其特征在于：所述重掺杂P+区(3)和重掺杂N+区(4)的掺杂浓度高于本征层I区(5)的掺杂浓度。
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