[发明专利]热处理系统及热处理装置在审
| 申请号: | 201910748025.2 | 申请日: | 2019-08-14 |
| 公开(公告)号: | CN110838455A | 公开(公告)日: | 2020-02-25 |
| 发明(设计)人: | 崔宇镕;金建昊;金楠暻 | 申请(专利权)人: | 圆益IPS股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人: | 郑青松 |
| 地址: | 韩国京畿道平*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 热处理 系统 装置 | ||
本发明公开了一种热处理系统及热处理装置。本发明的热处理系统及热处理装置通过缩短加热器的长度来缩短热处理装置之间的间隔,可提高空间利用率及生产力。
技术领域
本发明涉及热处理系统及热处理装置。更详细地说涉及一种热处理系统及热处理装置,通过缩短加热器的长度来缩短热处理装置之间的间隔,可提高空间利用率及生产力。
背景技术
退火(annealing)装置是负责必要的热处理步骤的装置,以对于沉积在诸如硅晶片或者玻璃的基板上沉积的固定薄膜执行结晶化、相变等的工艺。
图1是示出现有的批量热处理装置的立体图。图2是现有的热处理系统;图2的(a)示出热处理装置1中加热器20、30的配置形状;图2的(b)示出用于热处理系统。
参照图1,现有的批量热处理装置1包括:具有热处理空间15的主体10、开关主体10的出入口的门11;主加热器20及辅助加热器30。在热处理空间15可配置有多个基板。多个基板分别间隔预定距离,并且被基板固定器(未示出)支撑,或者安装在晶舟(未示出),可放置在热处理空间15。
主加热器20作为常规的长度延迟的棍棒状加热器,主加热器20的两端结合连接器,在断电的同时可将加热器20设置并固定在主体10的壁面。辅助加热器30的结构与主加热器20相同。只是,考虑到从热处理装置1向外部释放的热,辅助加热器30以垂直于主加热器20的形成方向的方向配置,以平行于主体10的两侧面,进而对热处理空间中1的所有区域均匀地施加热。
参照图2的(a),主加热器10主要对占据基板5的区域Z2执行加热,辅助加热器39对基板5的外侧,即作为未占据基板5的区域Z1Z3的热处理空间15的角落部分执行加热。为了防止向外部的热损失,将辅助加热器30与主加热器20垂直配置,以使Z1、Z3区域的加热温度高于Z2区域。
但是,因此现有的批量热处理装置1存在体积不必要地变大的问题。参照图2(b),举例说明,配置有两个热处理装置1的热处理系统S’中,在主体(10:10a、10b)的前侧或者后侧空间M3'、M4'、M7'、M8'可旋转地设置传送机器人TR,所述传送机器人TR沿着运送途径TP移动,并且装载/卸载基板5。在热处理系统S'中,将主加热器20设置在主体(10:10a、10b),并且为了保障用于维护/管理的路径P1'、P2'、P5'、P6',至少需要主体(10:10a、10b)的左侧空间M1'、M2'、M5'、M6'。然后,将辅助加热器30设置在主体10,并且为了保障用于维护/管理的路径P3'、P4'、P7'、P8',至少需要主体(10:10a、10b)的前后侧空间M3'、M4'、M7'、M8'。也就是说,相邻的主体10a10b之间的间隔不得不依赖主加热器20的长度。
主体10的左右侧空间M1'、M2'、M5'、M6'及前后侧空间M3'、M4'、M7'、M8'的横向/竖向长度或者宽度依赖于主体10的宽度L1(或者一侧长度L1)与主加热器20/辅助加热器30的长度(对应于L1)。由于主体10是执行基板处理的空间,因此很难调节宽度L1。主加热器20/辅助加热器30也具有棍棒形状,并且需设置在主体10的壁面,因此很难调节长度。如此,难以调节围绕主体10的所有面的外侧空间M1'、M2'、M3'、M4'、M5'、M6'、M7'、M8'的大小,但是相反地该空间在热处理系统中占据的空间非常大,因此存在用于维护/管理的设备整体尺寸不必要地变大并且降低单位面积生产力的问题。
另一方面,现有的批量热处理装置1根据基板个数设置大量的加热器20、30,在每个加热器20、30的两端结合连接器26的过程中存在增加装置制造时间的问题。另外,在维修、更换加热器20、30时也存在拆卸连接器26的过程中增加维护/管理的时间的问题。若在热处理工艺中一部分加热器20、30发生故障,则这种维修、更换时间的延迟可导致大量的工艺失败。
发明内容
(要解决的问题)
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





