[发明专利]磁致伸缩元件以及磁致伸缩元件的制造方法

权利要求书

1.一种磁致伸缩元件，由下述式(1)或下述式(2)所表示的单晶合金的磁致伸缩材料构成，

Fe_(100-α)Ga_α (1)

在式(1)中，α为Ga含有率，单位为at％，并且满足14≤α≤19，

Fe_(100-α-β)Ga_αX_β (2)

在式(2)中，α以及β分别为Ga含有率以及X含有率，单位为at％，X为从由Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Cu以及C构成的组中选择的1种以上的元素，满足14≤α≤19且0.5≤β≤1，

所述磁致伸缩元件具有长边方向上的第1尺寸以及与该长边方向正交的短边方向上的比该第1尺寸小的第2尺寸，并且该长边方向与该单晶合金的＜100＞晶体取向平行，

将所述短边方向以及所述长边方向分别设为x轴以及y轴，在相对于该x轴以及该y轴所成的xy平面平行、且在该xy平面的原点周围在从该x轴偏移0°≤θ≤90°的范围内以角度θ施加了磁场时，将在该y轴方向上测定的磁致伸缩量L的最大值以及最小值分别设为Lmax以及Lmin，在该情况下，

Lmax被测定时的磁场施加方向的角度θ满足80°≤θ≤90°，

Lmin被测定时的磁场施加方向的角度θ满足0°≤θ≤10°，

所述Lmax以及所述Lmin满足0≤Lmin≤Lmax/10且100ppm≤Lmax≤1000ppm。

2.根据权利要求1所述的磁致伸缩元件，其中，

所述磁致伸缩元件是具有相互对置的两个主面的板状的形状，该两个主面与所述xy平面平行。

3.一种磁致伸缩元件的制造方法，包括：

制作下述式(1)或下述式(2)所表示的单晶合金，

Fe_(100-α)Ga_α (1)

在式(1)中，α为Ga含有率，单位为at％，并且满足14≤α≤19，

Fe_(100-α-β)Ga_αX_β (2)

在式(2)中，α以及β分别为Ga含有率以及X含有率，单位为at％，X为从由Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Cu以及C构成的组中选择的1种以上的元素，满足14≤α≤19且0.5≤β≤1；以及

将所述单晶合金切取为具有长边方向上的第1尺寸以及与该长边方向正交的短边方向上的比该第1尺寸小的第2尺寸、且该长边方向与该单晶合金的＜100＞晶体取向平行的形状，将切取的所述单晶合金的形状物在400℃以上且700°以下进行加热处理；或者，将所述单晶合金在400℃以上且700°以下进行加热处理，将加热处理后的所述单晶合金切取为具有长边方向上的第1尺寸以及与该长边方向正交的短边方向上的比该第1尺寸小的第2尺寸、且该长边方向与该单晶合金的＜100＞晶体取向平行的形状。

4.根据权利要求3所述的磁致伸缩元件的制造方法，其中，

切取的所述单晶合金是具有相互对置的两个主面的板状的形状。

5.根据权利要求3所述的磁致伸缩元件的制造方法，其中，

所述加热处理在非活性气体的气氛下进行。