[发明专利]基于高光谱技术的绝缘子污秽度非接触检测方法有效
| 申请号: | 201910745335.9 | 申请日: | 2019-08-13 |
| 公开(公告)号: | CN110376214B | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
| 发明(设计)人: | 吴广宁;邱彦;郭裕钧;张血琴;刘凯;高国强;杨泽锋;魏文赋 | 申请(专利权)人: | 西南交通大学 |
| 主分类号: | G01N21/94 | 分类号: | G01N21/94 |
| 代理公司: | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人: | 李蕊 |
| 地址: | 610031*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 光谱 技术 绝缘子 污秽 接触 检测 方法 | ||
1.一种基于高光谱技术的绝缘子污秽度非接触检测方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、获取积污绝缘子的高光谱图像集,并对高光谱图像集进行校正、变换处理,将处理后的高光谱图像集分为两部分,分别为第一高光谱图像集和第二高光谱图像集;
S2、获取第一高光谱图像集所对应的积污绝缘子区域的盐灰比例Ⅰ和污秽总量Ⅰ;
S3、提取第一高光谱图像集的纹理特征和高光谱谱线,其中第一高光谱图像集的纹理特征对应标签为盐灰比例Ⅰ,第一高光谱图像集的高光谱谱线对应标签为污秽总量Ⅰ,将第一高光谱图像集的一部分纹理特征和高光谱谱线作为训练集,另一部分纹理特征和高光谱谱线作为测试集,根据分类算法和训练集建立污秽度多参量检测模型,并用测试集对污秽度多参量检测模型进行优化;
S4、提取第二高光谱图像集中若干个局部区域的纹理特征和高光谱谱线,并通过优化后的污秽度多参量检测模型对它们进行识别,得到盐灰比例Ⅱ和污秽总量Ⅱ,根据盐灰比例Ⅱ和污秽总量Ⅱ,计算积污绝缘子的污秽等值盐密Ⅱ和污秽灰密Ⅱ,完成绝缘子污秽度的非接触检测;
所述步骤S2具体包括:
S21、分别清洗第一高光谱图像集中各图像所对应的积污绝缘子的区域,并收集混有积污绝缘子污秽的水溶液;
S22、通过电导率测试仪测量积污绝缘子被清洗过的区域,计算得到污秽等值盐密Ⅰ;
S23、对收集到的水溶液进行过滤、烘干、称重,计算得到污秽灰密Ⅰ;
S24、根据污秽等值盐密Ⅰ和污秽灰密Ⅰ,计算得到盐灰比例Ⅰ;
S25、根据污秽等值盐密Ⅰ、污秽灰密Ⅰ和积污绝缘子清洗面积,得污秽总量Ⅰ;
所述步骤S3中,分类算法为朴素贝叶斯、支持向量机、决策树、随机森林和最近邻分类算法中的任意一种。
2.根据权利要求1所述基于高光谱技术的绝缘子污秽度非接触检测方法,其特征在于,所述步骤S1中,是选择在积污绝缘子的污秽类型相同区域获取高光谱图像集。
3.根据权利要求1所述基于高光谱技术的绝缘子污秽度非接触检测方法,其特征在于,所述步骤S1中,获取积污绝缘子的高光谱图像集的方法是:无人机搭载高光谱仪飞行至线路杆塔悬停后,利用高光谱仪获取积污绝缘子的高光谱图像集。
4.根据权利要求1所述基于高光谱技术的绝缘子污秽度非接触检测方法,其特征在于,所述步骤S1中,所述校正为黑白校正或者多元散射校正。
5.根据权利要求1所述基于高光谱技术的绝缘子污秽度非接触检测方法,其特征在于,所述步骤S1中,所述变换处理为标准正态变换、Savitzky-Golay平滑、小波去噪、微分变换以及对数变换中任意一种。
6.根据权利要求1所述基于高光谱技术的绝缘子污秽度非接触检测方法,其特征在于,所述步骤S4中,所述局部区域最小可为第二高光谱图像集中的一个像素点大小。
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