[发明专利]光罩、产生光罩的方法及产生集成电路的方法在审
| 申请号： | 201910744928.3 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN110824830A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 陈禹佑;廖啟宏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/54 | 分类号： | G03F1/54;G03F1/36 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生光 方法 产生 集成电路 | ||
1.一种光罩，其特征在于，包括：
一半透明基板，该半透明基板具有自该半透明基板的一第一表面凹陷的一凹陷区域；以及
至少一个主要特征，该至少一个主要特征安置在该半透明基板上，且自该半透明基板的该第一表面突出。
2.根据权利要求1所述的光罩，其特征在于，该凹陷区域经配置以衍射辐射而不使一图案成像。
3.根据权利要求2所述的光罩，其特征在于，该凹陷区域的一宽度小于该至少一个主要特征的一宽度的五分之一。
4.根据权利要求2所述的光罩，其特征在于，该凹陷区域的一深度小于该至少一个主要特征的一高度的三分之一。
5.根据权利要求1所述的光罩，其特征在于，进一步包括安置在该凹陷区域中的一不透明填充物。
6.一种用于产生一光罩的方法，其特征在于，包括：
在一半透明基板上形成至少一个主要特征；
在该半透明基板上形成一光阻剂层；
图案化该光阻剂层以曝光该半透明基板的一部分；
蚀刻该半透明基板的该已曝光部分以在该半透明基板上形成一凹陷区域；以及
自该半透明基板移除该经图案化的光阻剂层。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在该半透明基板上形成该至少一个主要特征是在蚀刻半透明基板的该已曝光部分以在该半透明基板上形成该凹陷区域之前执行。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在该半透明基板上形成该至少一个主要特征是在蚀刻半透明基板的该已曝光部分以在该半透明基板上形成该凹陷区域之后执行。
9.一种用于产生一集成电路的方法，其特征在于，包括：
在一晶圆上形成一光阻剂层；
通过使用一光罩曝光该晶圆的一部分来图案化该光阻剂层，其中该光罩包括：
一半透明基板，该半透明基板具有自该半透明基板的一第一表面凹陷的一凹陷区域；以及
至少一个主要特征，该至少一个主要特征自该半透明基板的该第一表面突出；
蚀刻该晶圆的该已曝光部分；以及
自该晶圆移除该经图案化的光阻剂层。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该至少一个主要特征包括一第一主要特征、一第二主要特征及一第三主要特征，该凹陷区域在该第一主要特征与该第二主要特征之间，该第一主要特征与该凹陷区域之间的一第一间距与该第二主要特征与该第三主要特征之间的一第二间距相同。
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