[发明专利]薄膜晶体管、包括薄膜晶体管的显示设备及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

有源层，包括具有第一厚度的第一部分和具有大于所述第一厚度的第二厚度的第二部分；

封盖层，填充所述第一部分与所述第二部分之间的厚度差，并且布置在所述第一部分上；

栅极绝缘层，布置在所述封盖层上；

栅电极，在所述有源层上，其中所述栅极绝缘层和所述封盖层设置在所述栅电极与所述有源层之间；以及

源电极和漏电极，连接到所述有源层。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，

其中，所述封盖层覆盖所述第一部分的顶表面，并且

其中，所述封盖层设置在所述第一部分的所述顶表面与所述栅极绝缘层的底表面之间。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，

其中，所述封盖层进一步覆盖所述第一部分的端部的侧表面。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，

其中，所述栅极绝缘层直接接触所述第二部分。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，

其中，所述封盖层包括氧化硅。

6.一种显示设备，包括：

基板；

薄膜晶体管，在所述基板上；以及

发光元件，连接到所述薄膜晶体管，

其中，所述薄膜晶体管包括：

有源层，包括具有第一厚度的第一部分和具有大于所述第一厚度的第二厚度的第二部分；

封盖层，填充所述第一部分与所述第二部分之间的厚度差，并且布置在所述第一部分上；

栅极绝缘层，布置在所述封盖层上；

栅电极，在所述有源层上，其中所述栅极绝缘层和所述封盖层设置在所述栅电极与所述有源层之间；以及

源电极和漏电极，连接到所述有源层。

7.根据权利要求6所述的显示设备，

其中，所述封盖层覆盖所述第一部分的顶表面，并且

其中，所述封盖层设置在所述第一部分的所述顶表面与所述栅极绝缘层的底表面之间。

8.根据权利要求7所述的显示设备，

其中，所述封盖层进一步覆盖所述第一部分的端部的侧表面。

9.根据权利要求6所述的显示设备，

其中，所述栅极绝缘层直接接触所述第二部分。

10.根据权利要求6所述的显示设备，

其中，所述封盖层包括氧化硅。

11.一种制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括：

在基板上形成非晶硅层；

在所述非晶硅层上形成初步封盖层；

通过对所述非晶硅层执行热处理来形成具有突起的晶体硅层，在对所述非晶硅层执行热处理中，使所述非晶硅层液化，并且随后使液化后的所述非晶硅层结晶以形成具有所述突起的所述晶体硅层，并且使所述初步封盖层变形为所述突起的形状；

对变形后的初步封盖层和所述突起进行抛光，以分别形成第一封盖层和第二封盖层以及有源层，所述有源层包括具有第一厚度的第一部分和具有大于所述第一厚度的第二厚度的第二部分；

其中，所述第二部分将所述第一封盖层和所述第二封盖层分离；

在所述第一封盖层、所述第二封盖层和所述有源层的所述第二部分上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成栅电极，所述栅电极与所述有源层重叠；以及

形成源电极和漏电极，所述源电极和漏电极分别穿透所述第一封盖层和所述第二封盖层以连接到所述有源层。