[发明专利]银纳米线薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201910744389.3 申请日: 2019-08-13
公开(公告)号: CN110517828B 公开(公告)日: 2021-09-03
发明(设计)人: 陈志雄;李奇琳;王新月;陈建良;罗晓雯;甘堃;陈超云 申请(专利权)人: 深圳市善柔科技有限公司
主分类号: H01B13/00 分类号: H01B13/00;H01B5/14
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 徐汉华
地址: 518000 广东省深圳市南山区桃*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 纳米 薄膜 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种银纳米线薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

提供银纳米线墨水;

将所述银纳米线墨水涂布在基板表面,然后固化处理得到银纳米线薄膜;

其中,在所述固化处理的步骤前和/或所述固化处理的步骤中,还包括用多对错开风嘴对涂有所述银纳米线墨水的基板表面进行风吹处理;

所述风吹处理中,每对错开风嘴的出风口错开设置,每对错开风嘴的出风口的出风方向指向所述基板、且与所述基板表面成相同的角度。

2.如权利要求1所述的银纳米线薄膜的制备方法,其特征在于,所述错开风嘴的出风口宽度为1-10cm;和/或,

所述错开风嘴的出风口与所述基板的垂直距离为5-100cm;和/或,

所述错开风嘴的出风口出风方向与所述基板表面成0°-89°角;和/或,

多对错开风嘴中同侧相邻出风口之间的距离为5-50cm。

3.如权利要求1所述的银纳米线薄膜的制备方法,其特征在于,所述错开风嘴为扁平风嘴;和/或,

所述多对错开风嘴的数量为1-10对;和/或,

所述多对错开风嘴在所述基板上成水平单行直线分布或多行阵列分布。

4.如权利要求1所述的银纳米线薄膜的制备方法,其特征在于,所述风吹处理中,风的温度为20-150℃;和/或,

风吹时间为5s-10min;和/或,

风吹速度为2.1-5.4m/s。

5.如权利要求1所述的银纳米线薄膜的制备方法,其特征在于,所述风吹处理中使用的风吹气体含有0.1-5mmol/L的硫化氢。

6.如权利要求1所述的银纳米线薄膜的制备方法,其特征在于,所述风吹处理中使用的载气为氮气或空气。

7.如权利要求6所述的银纳米线薄膜的制备方法,其特征在于,所述风吹处理中使用的载气为空气,且空气的湿度≤50%。

8.如权利要求1所述的银纳米线薄膜的制备方法,其特征在于,所述风吹处理中的风吹气体呈对流形态或湍流形态。

9.如权利要求1-7任一项所述的银纳米线薄膜的制备方法,其特征在于,所述银纳米线墨水中,银纳米线的质量分数为0.01%-0.2%;和/或,

将所述银纳米线墨水涂布在基板表面的涂布方法选自狭缝涂布、微凹涂布、刮涂和滚筒涂布中的任意一种。

10.如权利要求1-7任一项所述的银纳米线薄膜的制备方法,其特征在于,所述基板选自PET膜、TAC薄膜、PEN薄膜、CPI膜、COP膜、PDMS膜和玻璃膜中的任意一种。

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