[发明专利]银纳米线薄膜的制备方法

说明书

本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种银纳米线薄膜的制备方法。该银纳米线薄膜的制备方法，包括如下步骤：提供初始银纳米线溶液；将具有氧化性的气体通入所述初始银纳米银线溶液中，在银纳米线表面进行氧化反应，得到氧化后的银纳米线溶液；将所述氧化后的银纳米线溶液涂覆在基板上进行干燥处理，得到银纳米线薄膜。银纳米线的表面被氧化后会在表面形成银金属化合物，这些银金属化合物会抑制银纳米线表面等离子共振的产生，从而使散射光的比例减少，进而降低雾度，而银的金属化合物一般不具备金属光泽，因此能减少反射，这也进一步降低了雾度；因此，使最终制得的银纳米线薄膜的雾度显著降低。

技术领域

本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种银纳米线薄膜的制备方法。

背景技术

银纳米线(Silver Nanowires，AgNWs)是指长度在微米尺度、直径在纳米尺度的一维银金属材料，其长径比可达1000以上。一般来说，银纳米线的长度越长、直径越小，其透光度越高、电阻越小。

银纳米线透明导电薄膜是一种将无数银纳米线与合适的有机交联体在柔性衬底上制成的导电薄膜。相对于传统的氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜，银纳米线透明导电薄膜具有更优的透光性、导电性和弯折性能，以及更低的生产成本。

银纳米线作为导体，本身是以金属的形式存在，因银纳米线的表面有强烈的表面等离子共振(Surface Plasmon Resonance，SPR)效应，当光线照射到其表面会引起强烈的散射，这样大大提高了银纳米线薄膜的雾度。因此，若能在维持高的导电和光学性能水平的基础上，实现更好的对SPR效应的抑制，具有重要的意义。

发明内容

本发明的目的在于提供一种银纳米线薄膜的制备方法，旨在解决现有银纳米线薄膜雾度高的技术问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明提供一种银纳米线薄膜的制备方法，包括如下步骤：

提供初始银纳米线溶液；

将具有氧化性的气体通入所述初始银纳米银线溶液中，在银纳米线表面进行氧化反应，得到氧化后的银纳米线溶液；

将所述氧化后的银纳米线溶液涂覆在基板上进行干燥处理，得到银纳米线薄膜。

在一实施例中，所述具有氧化性的气体，其载气是氮气，流量为50-500ml/min。

在一实施例中，所述具有氧化性的气体中含有10-100mmol/L的氧气。

在一实施例中，所述具有氧化性的气体中含有0.1-5mmol/L的硫化氢。

在一实施例中，所述得到氧化后的银纳米线溶液中，银纳米线表面的氧化层厚度为1-20nm。

在一实施例中，所述初始银纳米线溶液中，银纳米线的质量分数为0.01％-0.2％。

在一实施例中，所述在银纳米线表面进行氧化反应的温度为60-160℃；和/或，

所述在银纳米线表面进行氧化反应的时间为10-60min。

在一实施例中，所述干燥处理的温度为60-130℃；和/或，

所述干燥处理的时间为25-35min。

在一实施例中，所述银纳米线薄膜为透明导电薄膜。

在一实施例中，所述基板选自PET膜、TAC薄膜、PEN薄膜、CPI膜、COP膜、PDMS膜和玻璃膜中的任意一种。