[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201910744276.3 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN112397442A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 张田田;荆学珍;童哲源;肖张茹;于海龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底上具有层间介质层；
刻蚀所述层间介质层形成接触孔，所述接触孔暴露出所述基底的表面；
在所述接触孔内的所述基底上形成阻挡层；
在所述阻挡层上形成金属层，且所述金属层填充满所述接触孔。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为钴或钽。
3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述阻挡层的方法为选择性生长法或化学气相沉积法或原子层沉积法。
4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述接触孔的方法为干法刻蚀或湿法刻蚀。
5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料为钨。
6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述金属层的方法包括化学气相沉积法、选择性生长法或原子层气相沉积法中的一种或多种。
7.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，形成所述金属层的步骤包括：采用选择性生长法在所述接触孔内形成第一金属层；
采用化学气相沉积法在所述第一金属层以及所述层间介质层上形成第二金属层；
平坦化所述第一金属层和所述第二金属层，直至暴露出所述层间介质层的表面。
8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述阻挡层之前，还包括：在所述接触孔的底部、侧壁以及所述层间介质层的表面上形成反应金属层；
在所述反应金属层的表面上形成扩散阻挡层。
9.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，形成所述阻挡层之前，还包括：去除所述扩散阻挡层以及未参加反应的所述反应金属层。
10.一种如权利要求1-9任一所述的形成方法形成的半导体器件，其特征在于，包括：
基底；
层间介质层，位于所述基底上；
接触孔，位于所述层间介质层内，暴露出所述基底的表面；
阻挡层，位于所述接触孔内的所述基底上；
金属层，位于所述接触孔内的所述阻挡层上，且填充满所述接触孔。
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