[发明专利]一种基于外尔半金属的声波探测器在审
申请号: | 201910743490.7 | 申请日: | 2019-08-13 |
公开(公告)号: | CN110440904A | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 金华伏安光电科技有限公司 |
主分类号: | G01H11/06 | 分类号: | G01H11/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 322200 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 第二电极 第一电极 半金属 声波探测器 光生电流 衬底层 声波检测器 声波 半金属层 声波振动 灵敏度 谐振腔 检测 测量 | ||
1.一种基于外尔半金属的声波探测器,包括衬底层(1), 其特征在于:所述衬底层(1)的上方设置有第一电极(2)、第二电极(3),所述第一电极(2)与第二电极(3)相互间隔,两者之间形成谐振腔(4),所述第一电极(2)与第二电极(3)的上方设置有外尔半金属层(5),并且外尔半金属(5)两端分别与第一电极(2)、第二电极(3)接触。
2.如权利要求1所述的一种基于外尔半金属的声波探测器,其特征在于:所述外尔半金属层(5)与第一电极(2)、第二电极(3)的接触面设置有光栅(6)。
3.如权利要求1所述的一种基于外尔半金属的声波探测器,其特征在于:所述第一电极(2)、第二电极(3)的上表面设置有凸槽(7),所述外尔半金属层(5)与第一电极(2)、第二电极(3)接触的下表面处设置有与凸槽(7)配合的凹槽(8)。
4.如权利要求1或2或3所述的一种基于外尔半金属的声波探测器,其特征在于:所述外尔半金属层(5)厚度为20nm~80nm。
5.如权利要求1或2或3所述的一种基于外尔半金属的声波探测器,其特征在于:所述外尔半金属层(5)是由二碲化钼、砷化铌、砷化钽中的任一种制成。
6.如权利要求1所述的一种基于外尔半金属的声波探测器,其特征在于:所述谐振腔(4)的内表面设置有吸波层。
7.如权利要求1所述的一种基于外尔半金属的声波探测器,其特征在于:所述谐振腔(4)为U形。
8.如权利要求1所述的一种基于外尔半金属的声波探测器,其特征在于:所述第一电极(2)与第二电极(3)的高度相同。
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