[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201910743284.6 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN110828428A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 文孝植;姜相列;金恩善;朴瑛琳;郑圭镐;曹圭镐 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/108;H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
衬底上的下电极；
电介质层结构，在所述下电极上并且包括具有四方晶相的铪氧化物；
模板层，在所述电介质层结构上并且包括铌氧化物(NbOx，0.5≤x≤2.5)；以及
上电极结构，包括在所述模板层上的第一上电极和第二上电极。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述电介质层结构包括：
第一电介质层，在所述下电极上并且包括第一电介质材料；以及
第二电介质层，在所述第一电介质层上并且包括第二电介质材料，
其中所述第二电介质材料包括具有四方晶相的铪氧化物。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第二电介质层的整个顶表面与所述模板层接触。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述电介质层结构在X射线衍射分析中表现出来自所述第二电介质层的四方晶体结构的(101)面的30.48°±0.2°的峰。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述模板层具有1至10埃的厚度。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一上电极包括铌氮化物(NbNy，0.5≤y≤1.0)。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述模板层的整个顶表面与所述第一上电极接触。
8.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一电介质材料包括锆氧化物、铝氧化物、铝硅氧化物、钛氧化物、钇氧化物、钪氧化物和镧氧化物中的至少一种。
9.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述电介质层结构还包括：
第三电介质层，在所述第一电介质层和所述第二电介质层之间，并且包括与所述第二电介质材料不同的第三电介质材料，
其中所述第三电介质材料包括锆氧化物、铝氧化物、铝硅氧化物、钛氧化物、钇氧化物、钪氧化物和镧氧化物中的至少一种。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述电介质层结构还包括：
第四电介质层，在所述第二电介质层和所述第三电介质层之间，并且包括与所述第二电介质材料不同的第四电介质材料，
其中所述第四电介质材料包括锆氧化物、铝氧化物、铝硅氧化物、钛氧化物、钇氧化物、钪氧化物和镧氧化物中的至少一种。
11.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述电介质层结构还包括：
第三电介质层，在所述第一电介质层和所述第二电介质层之间，并且包括第三电介质材料，
其中所述第三电介质材料包括具有四方晶相的铪氧化物。
12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述电介质层结构包括：
第二电介质层，在所述下电极上并且包括第二电介质材料，
其中所述模板层直接在所述第二电介质层的顶表面上。
13.一种半导体器件，包括：
下电极结构，在衬底上并且包括第一下电极和第二下电极；
模板层，在所述下电极结构上并且包括铌氧化物(NbOx，0.5≤x≤2.5)；
电介质层结构，在所述模板层上并且包括具有四方晶相的铪氧化物；以及
所述电介质层结构上的上电极结构。
14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中所述电介质层结构包括：
第二电介质层，在所述模板层上并且包括第二电介质材料，以及
第一电介质层，在所述第二电介质层上并且包括第一电介质材料，其中所述第二电介质材料包括具有四方晶相的铪氧化物。
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