[发明专利]基于FLASH存算阵列的脉冲型卷积神经网络有效

专利信息
申请号: 201910741894.2 申请日: 2019-08-12
公开(公告)号: CN110543933B 公开(公告)日: 2022-10-21
发明(设计)人: 黄鹏;项亚臣;康晋锋;刘晓彦;韩润泽 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: G06N3/04 分类号: G06N3/04;G06N3/063
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周天宇
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 基于 flash 阵列 脉冲 卷积 神经网络
【权利要求书】:

1.一种基于FLASH存算阵列的脉冲型卷积神经网络,其特征在于,包括:采样模块、多层卷积模块、以及计数器模块,其中,每一层所述卷积模块都包括基于FLASH的存算阵列及其对应的神经元模块;

所述采样模块用于对输入图像进行采样,得到输入脉冲;

所述基于FLASH的存算阵列存储有权重矩阵,其对输入脉冲与权重矩阵进行向量矩阵乘法运算,运算结果以电流形式输出;

所述神经元模块对基于FLASH的存算阵列的运算结果进行积分,生成输出脉冲,以作为下一层卷积模块的输入脉冲;

所述计数器模块统计输出层的神经元模块产生的脉冲数量,将具有最大脉冲数量的神经元模块的脉冲数量作为识别结果。

2.如权利要求1所述的脉冲型卷积神经网络,其特征在于,所述采样模块利用泊松采样或高斯采样对输入图像进行采样,得到输入脉冲。

3.如权利要求1所述的脉冲型卷积神经网络,其特征在于,所述基于FLASH的存算阵列包括:多个FLASH单元、多条字线、多条源线、多条位线、多个减法器;

多个FLASH单元组成的存算阵列,每一列FLASH单元的栅极连接相同的字线,源极连接相同的源线,每一行FLASH单元的漏极连接相同的位线;每个减法器的正极端和负极端分别连接相邻两条位线。

4.如权利要求3所述的脉冲型卷积神经网络,其特征在于,

所述字线的数量对应于所述存算阵列的列数,输入脉冲通过字线输入FLASH单元;

所述源线的数量对应于所述存算阵列的列数,所述源线均接固定的驱动电压;

所述位线的数量对应于所述存算阵列的行数,每一行位线叠加该行各列FLASH单元的漏极信号,并将叠加的漏极信号作为输出信号输出。

5.如权利要求3所述的脉冲型卷积神经网络,其特征在于,所述FLASH单元存储有卷积神经网络的权重值,所述基于FLASH的存算阵列存储卷积神经网络的权重矩阵。

6.如权利要求5所述的脉冲型卷积神经网络,其特征在于,对所述FLASH单元编程,所述FLASH单元的存储状态视为“0”;对所述FLASH单元擦除,所述FLASH单元的存储状态视为“1”。

7.如权利要求5所述的脉冲型卷积神经网络,其特征在于,所述减法器正极端连接的位线上的FLASH单元存储正权重值,其负极端连接的位线上的FLASH单元存储负权重值。

8.如权利要求1所述的脉冲型卷积神经网络,其特征在于,神经元模块包括:比较器、脉冲产生电路、复位开关、积分电容;

积分电容对运算结果进行积分,比较器将积分得到的输出电压与预先设置的阈值电压进行比较,如果输出电压超过阈值电压,比较器触发脉冲产生电路输出脉冲,并通过比较器的反馈触发复位开关,将神经元模块置为初始状态;如果输出电压未超过阈值电压,比较器不会触发脉冲产生电路,脉冲产生电路不输出脉冲。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学,未经北京大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910741894.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top