[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其具备：

半导体基体，其具有一个主面及另一个主面，该半导体基体包含第1导电型的漂移层作为主要结构部；

第1导电型的缓冲层，其在所述半导体基体内，相对于所述漂移层在另一个主面侧与所述漂移层相邻地形成；

有源层，其形成于所述半导体基体的另一个主面之上，具有第1及第2导电型中的至少一种导电型；

第1电极，其形成于所述半导体基体的一个主面之上；以及

第2电极，其形成于所述有源层之上，

所述缓冲层具备：

第1缓冲层，其与所述有源层接合，具有1个杂质浓度的峰值点；以及

第2缓冲层，其与所述第1缓冲层及所述漂移层接合，具有至少1个杂质浓度的峰值点，该第2缓冲层的最大杂质浓度比所述第1缓冲层低，

所述第1缓冲层的所述峰值点的杂质浓度比所述漂移层的杂质浓度高，

所述第2缓冲层的杂质浓度在所述第2缓冲层的整个区域比所述漂移层的杂质浓度高。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第2缓冲层为各自具有一个杂质浓度的峰值点的多个子缓冲层的层叠构造，

所述多个子缓冲层中的最靠另一个主面侧的子缓冲层即第1子缓冲层与所述第1缓冲层接合，

各所述多个子缓冲层的最大杂质浓度与在所述另一个主面侧相邻的所述子缓冲层的最大杂质浓度相等或更大。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述第2缓冲层的总有效剂量大于或等于1.0×10¹⁰cm^-2且小于或等于1.0×10¹²cm^-2。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

所述第2缓冲层的载流子寿命比所述第1缓冲层的载流子寿命短。

5.一种半导体装置的制造方法，其是权利要求1至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，具备：

工序(a)，在半导体基体的一个主面之上形成第1电极；

工序(b)，在工序(a)后，形成对第1电极的形成面进行保护的保护膜；

工序(c)，在工序(b)后，对所述半导体基体的另一个主面进行研磨或蚀刻而对所述半导体基体的厚度进行控制；

工序(d)，在工序(c)后，从所述半导体基体的另一个主面侧注入第1离子；

工序(e)，在工序(d)后，通过对所述半导体基体进行退火而使所述第1离子激活，形成所述第1缓冲层；

工序(f)，在工序(e)后，从所述半导体基体的另一个主面侧注入第2离子；

工序(g)，在工序(f)后，通过对所述半导体基体进行退火而使所述第2离子激活，形成第2缓冲层；以及

工序(h)，在工序(g)后，在所述半导体基体的另一个主面形成第2电极。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述工序(f)中的退火温度大于或等于370℃且小于或等于420℃。