[发明专利]一种芯片选择性搬运方法

权利要求书

1.一种芯片选择性搬运方法，其特征在于，包括：

S1、将芯片阵列中芯片的第一表面与第一基板的第一表面通过第一光敏胶层粘接，及将所述芯片的第二表面与第二基板的第一表面通过第二光敏胶层粘接，其中，所述芯片阵列划分为第一图案区和第二图案区，且所述第一光敏胶层对应所述第二图案区处为经曝光照射的降黏区，及所述第二光敏胶层对应所述第一图案区处为经曝光照射的降黏区；

S2、将所述第一基板和所述第二基板分离，其中，所述第一基板黏附有位于所述第一图案区对应的芯片，及所述第二基板黏附有位于所述第二图案区对应的芯片。

2.根据权利要求1所述的芯片选择性搬运方法，其特征在于，所述S1包括：

将芯片阵列中芯片的第一表面与第一基板的第一表面通过第一光敏胶层粘接；

将所述芯片的第二表面与所述第二基板的第一表面通过第二光敏胶层粘接；

在所述第一基板背离所述第二基板一侧形成第一掩膜，及在所述第二基板背离所述第一基板一侧形成第二掩膜，其中，所述第一掩膜的遮挡区域对应所述第一图案区，及所述第二掩膜的遮挡区域对应所述第二图案区；

透过所述第一基板对所述第一光敏胶层对应所述第二图案区处进行曝光照射，及透过所述第二基板对所述第二光敏胶层对应所述第一图案区处进行曝光照射，使得所述第一光敏胶层对应所述第二图案区处为经曝光照射的降黏区，及所述第二光敏胶层对应所述第一图案区处为经曝光照射的降黏区。

3.根据权利要求1所述的芯片选择性搬运方法，其特征在于，所述S1包括：

将芯片阵列中芯片的第一表面与第一基板的第一表面通过第一光敏胶层粘接，及在所述第二基板的第一表面形成第二光敏胶层；

在所述第一基板背离所述芯片阵列一侧形成第一掩膜，及在所述第二基板背离所述第二光敏胶层一侧形成第二掩膜，其中，所述第一掩膜的遮挡区域对应所述第一图案区，及所述第二掩膜的遮挡区域对应所述第二基板与所述芯片阵列粘接后的所述第二图案区；

透过所述第一基板对所述第一光敏胶层对应所述第二图案区处进行曝光照射，及透过所述第二基板对所述第二光敏胶层对应所述第一图案区处进行曝光照射，使得所述第一光敏胶层对应所述第二图案区处为经曝光照射的降黏区，及所述第二光敏胶层对应所述第一图案区处为经曝光照射的降黏区；

将所述芯片的第二表面通过所述第二光敏胶层与所述第二基板粘接。

4.根据权利要求1所述的芯片选择性搬运方法，其特征在于，在所述S2后，还包括：

S3、将所述第一基板黏附的所述芯片的第二表面与第三基板的第一表面通过第三光敏胶层粘接，其中，所述第一图案区划分为第一子图案区和第二子图案区，且所述第一光敏胶层对应所述第二子图案区处为经曝光照射的降黏区，及所述第三光敏胶层对应所述第一子图案区处为经曝光照射的降黏区；

S4、将所述第一基板与所述第三基板分离，其中，所述第一基板黏附有位于所述第一子图案区对应的芯片，及所述第三基板黏附有位于所述第二子图案区对应的芯片。

5.根据权利要求4所述的芯片选择性搬运方法，其特征在于，所述第一光敏胶层、所述第二光敏胶层和所述第三光敏胶层的材质中添加有脱模剂。

6.根据权利要求5所述的芯片选择性搬运方法，其特征在于，所述脱模剂为硅烷类脱模剂、聚氨酯脱模剂或油性脱模剂。

7.根据权利要求4所述的芯片选择性搬运方法，其特征在于，所述第一光敏胶层、所述第二光敏胶层和所述第三光敏胶层经过胶体熟化处理。

8.根据权利要求7所述的芯片选择性搬运方法，其特征在于，所述胶体熟化处理为：

将光敏胶层在50℃-150℃的恒定温度条件下固化1min-300min后，降低温度至0℃-130℃的恒定温度条件下熟化预设天数。

9.根据权利要求1所述的芯片选择性搬运方法，其特征在于，在所述芯片阵列的芯片的第二表面一侧具有支撑基底时，去除所述支撑基底后，将所述芯片的第二表面与第二基板通过第二光敏胶层粘接。