[发明专利]接近传感器以及操作基于光电检测器的接近传感器的方法有效
申请号: | 201910739930.1 | 申请日: | 2019-08-12 |
公开(公告)号: | CN110823368B | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | J·K·莫雷 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(RD)有限公司 |
主分类号: | G01J1/44 | 分类号: | G01J1/44 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;傅远 |
地址: | 英国白*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接近 传感器 以及 操作 基于 光电 检测器 方法 | ||
1.一种用于检测与光电检测器相关联的电路内的堆积的装置,所述装置包括:
输入端子,被配置为接收多个光电检测器输出;
OR树,与所述电路并联,所述电路与所述光电检测器相关联,所述OR树具有耦合到所述输入端子的输入,并且被配置为组合所述光电检测器输出;
计数器,被配置为对所述OR树的输出进行计数;以及
比较器,被配置为将所述计数器的输出与确定的阈值进行比较,其中所述比较器被配置为:基于所述计数器的所述输出大于或等于所述确定的阈值来输出指示符,所述指示符指示与所述光电检测器相关联的所述电路内的堆积。
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述光电检测器输出包括:
多个雪崩二极管,每个雪崩二极管被配置为在检测到光子时生成脉冲;以及
多个比较器,每个比较器与雪崩二极管相关联,并且被配置为锐化由相关联的所述雪崩二极管生成的脉冲。
3.根据权利要求1所述的装置,其中与所述光电检测器相关联的所述电路包括:
多个脉冲整形器,被配置为缩短所述光电检测器输出的脉冲宽度;以及
主OR树,被配置为组合所述脉冲整形器的输出。
4.根据权利要求3所述的装置,还包括:
直方图确定器,被配置为生成直方图的计数箱值;以及
直方图处理器,被配置为接收所述计数箱值和所述比较器的输出,其中所述直方图处理器被配置为:当所述比较器的所述输出指示与所述光电检测器相关联的所述电路内没有堆积时,基于所述计数箱值来生成距离。
5.根据权利要求3所述的装置,还包括:
直方图确定器,被配置为生成直方图的计数箱值;以及
直方图处理器,被配置为接收所述计数箱值和所述比较器的输出,其中所述直方图处理器被配置为:当所述比较器的所述输出指示与所述光电检测器相关联的所述电路内存在堆积时,生成距离不准确的指示,所述距离基于所述计数箱值。
6.根据权利要求1所述的装置,其中所述光电检测器是单光子雪崩二极管。
7.一种用于检测与光电检测器相关联的电路内的堆积的方法,所述方法包括:
接收多个光电检测器输出;
组合所述光电检测器输出;
对所述光电检测器输出的所述组合进行计数;
将所述组合的所述计数与确定的阈值进行比较;以及
基于所述比较来生成指示符,其中当所述组合的所述计数大于或等于所述确定的阈值时,所述指示符指示与所述光电检测器相关联的所述电路内的堆积。
8.根据权利要求7所述的方法,其中接收所述光电检测器输出包括:
从多个雪崩二极管接收输出,所述雪崩二极管被配置为在检测到光子时生成脉冲;以及
从多个比较器接收输出,每个比较器与雪崩二极管相关联并且被配置为锐化由相关联的雪崩二极管生成的脉冲。
9.根据权利要求7所述的方法,其中与所述光电检测器相关联的所述电路包括:
多个脉冲整形器,被配置为缩短所述光电检测器输出的脉冲宽度;以及
OR树,被配置为组合所述脉冲整形器的输出。
10.根据权利要求9所述的方法,还包括:
从与所述光电检测器相关联的所述电路生成直方图的计数箱值;以及
当基于所述比较的所述指示符指示与光电检测器相关联的所述电路内没有堆积时,基于所述计数箱值来生成距离。
11.根据权利要求9所述的方法,还包括:
从与所述光电检测器相关联的所述电路生成直方图的计数箱值;以及
当所述比较指示与光电检测器相关联的所述电路内存在堆积时,生成距离不准确的指示,所述距离基于所述计数箱值。
12.根据权利要求7所述的方法,其中所述光电检测器是单光子雪崩二极管。
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