[发明专利]带有低噪声源跟随器的图像传感器像素结构及其制作方法

权利要求书

1.带有低噪声源跟随器的图像传感器像素结构，其特征在于：像素结构基于p型硅外延层；多晶硅传输管栅、多晶硅复位管栅、多晶硅选通管栅与p型硅外延层上表面隔着一层普通厚度氧化层相连，多晶硅源跟随器栅与p型硅外延层上表面隔着一层薄氧化层相连，形成金属氧化物半导体型结构；n型浮空扩散节点、n型电源区、连接源跟随器栅和选通管栅的n型区、n型输出区位于p型阱之中；钳位光电二极管区由光电二极管n型区及其上表面p+型钳位层共同组成；钳位光电二极管区右下侧连接传输管栅极左侧；传输管栅极右侧连接n型浮空扩散节点左侧；n型浮空扩散节点上侧连接复位管栅极下侧；复位管栅极上侧连接n型电源区下侧；n型电源区上侧连接源跟随器栅极下侧；源跟随器栅极上侧连接n型区下侧；该n型区上侧连接选通管栅极下侧；选通管栅极上侧连接n型输出区下侧；n型浮空扩散节点区通过金属线与源跟随器栅极相连；n型电源区通过金属线与电源VDD相连；n型输出区通过金属线与列总线相连；无浅沟槽隔离低噪声源跟随器栅极左右两侧通过p+型隔离层进行电学隔离；p+型隔离层位于p型阱之中；像素结构其余非有源区部分为浅沟槽隔离结构。

2.根据权利要求1所述带有低噪声源跟随器的图像传感器像素结构，其特征在于：无浅沟槽隔离低噪声源跟随器结构：源跟随器多晶硅栅与p型外延层上表面隔着一层薄氧化层相连；源跟随器多晶硅栅两侧与p+型隔离层相连；p+型隔离层位于p阱之中。

3.带有低噪声源跟随器的图像传感器像素结构的制作方法，其特征在于：在硅衬底上生长一层p型硅外延层；在p型硅外延层上方沉积一层普通厚度氧化层，对后续工艺中将要生成源跟随器栅的区域所对应的氧化层进行刻蚀，形成薄栅氧化层；基于p型硅外延层通过多次沉积和刻蚀形成浅沟槽隔离结构；选用p型杂质，在相应位置进行离子注入，形成p型阱；选用n型杂质，在相应位置进行离子注入，形成光电二极管n型区；通过多次沉积和刻蚀，在相应位置上形成多晶硅栅，包括传输栅、复位栅、源跟随器栅、选通管栅；选用较高浓度p型杂质，在光电二极管n型区上方进行离子注入，形成p+型钳位层；选用p型杂质，在源跟随器栅附近相应位置进行离子注入，形成p型阱；选用高浓度p型杂质，在源跟随器栅附近相应位置进行离子注入，形成p+型隔离层；选用n型杂质，在相应位置进行离子注入形成源漏区，包括浮空扩散节点区、电源区、源跟随器与选通管n型连接区、输出区；在相应栅极和源漏区形成金属孔及金属线并最终完成像素制作。

4.根据权利要求3所述带有无浅沟槽隔离低噪声源跟随器的图像传感器像素的制作方法，其特征在于：无浅沟槽隔离低噪声源跟随器制作方法：在形成多晶硅源跟随其栅之前，对其下方对应的普通厚度氧化层进行刻蚀，形成薄氧化层；通过多次沉积和刻蚀，形成多晶硅源跟随器栅；选用p型杂质，在源跟随器栅附近相应位置进行离子注入，形成p型阱；选用高浓度p型杂质，在源跟随器栅附近相应位置进行离子注入，形成p+型隔离层。