[发明专利]掺镓硅锭的制备方法、掺镓硅锭和硅片在审
| 申请号: | 201910735850.9 | 申请日: | 2019-08-09 |
| 公开(公告)号: | CN110438565A | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
| 发明(设计)人: | 明亮;黄美玲;段金刚;刘福刚 | 申请(专利权)人: | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
| 主分类号: | C30B28/06 | 分类号: | C30B28/06;C30B15/04;C30B29/06 |
| 代理公司: | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 周长清;何文红 |
| 地址: | 410205 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 硅锭 制备 硅片 液态金属镓 硅料 太阳电池光电转换效率 孔洞 熔化 退火 分布均匀性 纵向电阻率 光致衰减 密封孔洞 少子寿命 石英坩埚 金属镓 剩余硅 再结晶 镓量 固化 装入 冷却 应用 | ||
1.一种掺镓硅锭的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、将液态金属镓注入到硅料的孔洞中,使液态金属镓固化和/或密封孔洞,得到装有金属镓的硅料;
S2、将步骤S1中装有金属镓的硅料与剩余硅料装入石英坩埚中,经过熔化、再结晶和退火冷却,得到掺镓硅锭。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,采用注射器将液态金属镓注入到硅料的孔洞中;所述注射器的材料为塑料;所述液态金属镓由金属镓经熔化后制得。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,所述硅料为原生硅料、回炉硅料、提纯锭的至少一种;所述硅料的形状为块状、圆柱体状、椭球状或球状;所述硅料的孔洞的形状为碗状或圆柱体状;所述孔洞的形状为碗状时,所述孔洞的直径为5mm~200mm,所述孔洞的深度为20mm~100mm;所述孔洞的形状为圆柱体状时,所述孔洞的直径为2mm~20mm,所述孔洞的深度为5mm~50mm。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,所述密封孔洞包括采用碎硅料和/或颗粒硅料填充孔洞以及采用块状硅料盖住孔洞。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S2中,所述装有金属镓的硅料水平放置在位于整个装料高度的中部位置。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S2中,所述装有金属镓的硅料水平放置在位于整个装料高度的1/5~3/4处。
7.根据权利要求1~4中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S2中,所述掺镓硅锭为有籽晶高效多晶硅锭、铸造单晶硅锭或直拉单晶硅锭时,所述硅料中还包括籽晶,在熔化过程中混合物料中的籽晶部分熔化,金属镓需要全部熔化。
8.一种掺镓硅锭,其特征在于,所述掺镓硅锭由权利要求1~7中任一项所述的制备方法制备得到。
9.根据权利要求8所述的掺镓硅锭,其特征在于,所述掺镓硅锭为普通多晶硅锭、有籽晶高效多晶硅锭、铸造单晶硅锭、直拉单晶硅锭、区熔单晶硅锭中的一种。
10.一种硅片,其特征在于,所述硅片由权利要求8或9所述的掺镓硅锭经过开方、截断、平磨倒角和切片后制得。
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