[发明专利]掺镓硅锭的制备方法、掺镓硅锭和硅片在审

专利信息
申请号: 201910735850.9 申请日: 2019-08-09
公开(公告)号: CN110438565A 公开(公告)日: 2019-11-12
发明(设计)人: 明亮;黄美玲;段金刚;刘福刚 申请(专利权)人: 湖南红太阳光电科技有限公司
主分类号: C30B28/06 分类号: C30B28/06;C30B15/04;C30B29/06
代理公司: 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 代理人: 周长清;何文红
地址: 410205 湖南省*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 硅锭 制备 硅片 液态金属镓 硅料 太阳电池光电转换效率 孔洞 熔化 退火 分布均匀性 纵向电阻率 光致衰减 密封孔洞 少子寿命 石英坩埚 金属镓 剩余硅 再结晶 镓量 固化 装入 冷却 应用
【权利要求书】:

1.一种掺镓硅锭的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1、将液态金属镓注入到硅料的孔洞中,使液态金属镓固化和/或密封孔洞,得到装有金属镓的硅料;

S2、将步骤S1中装有金属镓的硅料与剩余硅料装入石英坩埚中,经过熔化、再结晶和退火冷却,得到掺镓硅锭。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,采用注射器将液态金属镓注入到硅料的孔洞中;所述注射器的材料为塑料;所述液态金属镓由金属镓经熔化后制得。

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,所述硅料为原生硅料、回炉硅料、提纯锭的至少一种;所述硅料的形状为块状、圆柱体状、椭球状或球状;所述硅料的孔洞的形状为碗状或圆柱体状;所述孔洞的形状为碗状时,所述孔洞的直径为5mm~200mm,所述孔洞的深度为20mm~100mm;所述孔洞的形状为圆柱体状时,所述孔洞的直径为2mm~20mm,所述孔洞的深度为5mm~50mm。

4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,所述密封孔洞包括采用碎硅料和/或颗粒硅料填充孔洞以及采用块状硅料盖住孔洞。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S2中,所述装有金属镓的硅料水平放置在位于整个装料高度的中部位置。

6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S2中,所述装有金属镓的硅料水平放置在位于整个装料高度的1/5~3/4处。

7.根据权利要求1~4中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S2中,所述掺镓硅锭为有籽晶高效多晶硅锭、铸造单晶硅锭或直拉单晶硅锭时,所述硅料中还包括籽晶,在熔化过程中混合物料中的籽晶部分熔化,金属镓需要全部熔化。

8.一种掺镓硅锭,其特征在于,所述掺镓硅锭由权利要求1~7中任一项所述的制备方法制备得到。

9.根据权利要求8所述的掺镓硅锭,其特征在于,所述掺镓硅锭为普通多晶硅锭、有籽晶高效多晶硅锭、铸造单晶硅锭、直拉单晶硅锭、区熔单晶硅锭中的一种。

10.一种硅片,其特征在于,所述硅片由权利要求8或9所述的掺镓硅锭经过开方、截断、平磨倒角和切片后制得。

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