[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示面板

说明书

本申请涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板，该阵列基板包括：基底，基底包括显示区域；位于基底上的低温多晶硅层，低温多晶硅层位于显示区域；位于基底上且覆盖低温多晶硅层的无机膜组层，无机膜组层上设有通孔，通孔位于低温多晶硅层上方，且通孔的侧壁与底壁之间的夹角不小于100度；位于无机膜组层上的源漏极层，源漏极层覆盖通孔的侧壁和底壁，以与低温多晶硅层连接。通过这种方式，减小位于源漏极层与低温多晶硅层之间的层间通孔的锥角，进而避免源漏极层由于层间通孔的锥角过大而出现厚度较薄甚至断线的问题，从而提高产品良率。

【技术领域】

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板。

【背景技术】

有源矩阵有机发光二极体(Active-matrix organic light emitting diode，简称AMOLED)面板因其高对比度、广色域、低功耗、可折叠等特性，逐渐成为新一代显示技术。

目前，在AMOLED面板的阵列基板制程工艺中，源漏极层通过层间通孔与薄膜晶体管的有源层实现连接。但是，由于层间通孔的锥角过大，会导致源漏极层出现厚度较薄甚至断线的问题。

【发明内容】

本申请的目的在于提供一种阵列基板及其制作方法、阵列基板，以避免源漏极层由于层间通孔的锥角过大而出现厚度较薄甚至断线的问题。

为了解决上述问题，本申请实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板包括：基底，基底包括显示区域；位于基底上的低温多晶硅层，低温多晶硅层位于显示区域；位于基底上且覆盖低温多晶硅层的无机膜组层，无机膜组层上设有通孔，通孔位于低温多晶硅层上方，且通孔的侧壁与底壁之间的夹角不小于100度；位于无机膜组层上的源漏极层，源漏极层覆盖通孔的侧壁和底壁，以与低温多晶硅层连接。

其中，通孔的侧壁与底壁之间的夹角的范围为105～110度。

其中，无机膜组层包括依次远离低温多晶硅层的第一栅绝缘层、第二栅绝缘层、以及层间介质层，第一栅绝缘层、第二栅绝缘层和层间介质层的总厚度小于740纳米。

其中，第一栅绝缘层的厚度小于130纳米。

其中，第二栅绝缘层的厚度小于110纳米。

其中，层间介质层的厚度小于500纳米。

其中，阵列基板还包括有机层，有机层位于无机膜组层上且不填充通孔，源漏极层位于有机层上，有机层的厚度小于1500纳米。

为了解决上述问题，本申请实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，该阵列基板的制作方法包括：提供基底，基底包括显示区域；在基底上形成低温多晶硅层，低温多晶硅层位于显示区域；在形成有低温多晶硅层的基底上形成无机膜组层；在无机膜组层上制作通孔，通孔位于低温多晶硅层上方，且通孔的侧壁与底壁之间的夹角不小于100度；在无机膜组层上形成源漏极层，源漏极层覆盖通孔的侧壁和底壁，以与低温多晶硅层连接。

其中，无机膜组层包括依次远离低温多晶硅层的第一栅绝缘层、第二栅绝缘层、以及层间介质层，在形成有低温多晶硅层的基底上形成无机膜组层的步骤具体包括：在形成有低温多晶硅层的基底上沉积第一栅绝缘层，第一栅绝缘层覆盖低温多晶硅层；在第一栅绝缘层上沉积第二栅绝缘层；在第二栅绝缘层上沉积层间介质层，第一栅绝缘层、第二栅绝缘层和层间介质层的总厚度小于1500纳米。

为了解决上述问题，本申请实施例还提供了一种显示面板，该显示面板包括上述任一项的阵列基板。