[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底表面具有第一介质层；

在所述第一介质层内形成第一开口，且所述第一开口底部暴露出部分基底表面；

在所述第一开口内形成初始第一插塞；

回刻蚀所述初始第一插塞，在所述第一介质层内形成凹槽和位于凹槽底部的第一插塞；

在所述凹槽内形成第二插塞，且所述第一插塞的材料和第二插塞的材料不同；

在所述第二插塞和第一介质层表面形成第二介质层；

刻蚀部分所述第二介质层，在所述第二介质层内形成第二开口，且第二开口底部暴露出第二插塞的顶部表面；

在所述第二开口内形成第三插塞，且所述第三插塞底部和第二插塞表面相接触。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成第一开口之后，形成初始第一插塞之前，在所述第一开口侧壁表面和底部表面、以及第一介质层表面形成初始阻挡层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始第一插塞的形成方法包括：在所述第一开口内以及初始阻挡层表面形成第一导电材料膜；平坦化所述第一导电材料膜，直至暴露出第一介质层表面，在所述第一开口内形成初始第一插塞。

4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成所述凹槽之后，形成第二插塞之前，去除凹槽侧壁暴露出的初始阻挡层，在第一开口底部和部分侧壁表面形成阻挡层。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除凹槽侧壁暴露出的阻挡层的工艺为湿法刻蚀工艺；所述湿法刻蚀工艺的参数包括：采用的刻蚀溶液包括稀释的氨水和稀释的双氧水，温度为20摄氏度100摄氏度，刻蚀时间为60秒～240秒。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述凹槽的深度范围为：1纳米～5纳米。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，回刻蚀所述初始第一插塞的工艺为湿法刻蚀工艺；所述湿法刻蚀工艺的参数包括：采用的刻蚀溶液包括稀释的氢氟酸溶液，温度为20摄氏度100摄氏度，刻蚀时间为60秒～240秒。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二插塞的形成方法包括：在所述凹槽内和第一介质层表面形成第二导电材料膜；平坦化所述第二导电材料膜，直至暴露出第一介质层表面，在所述凹槽内形成第二插塞。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二导电材料膜包括：位于凹槽侧壁表面和底部表面的第一导电膜、以及位于第一导电膜和第一介质层表面的第二导电膜。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一导电膜的工艺包括：选择性化学气相沉积工艺；形成所述第二导电膜的工艺包括：化学气相沉积工艺。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一插塞的材料包括：钴或者钌。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二插塞的材料包括：钛、镍、铜、钨、铝、银和钽中的一种或多种组合。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一开口的形成方法包括：在所述第一介质层表面形成第一图形化层，所述第一图形化层暴露出部分第一介质层表面；以所述第一图形化层为掩膜，刻蚀所述第一介质层，直至暴露出基底表面，在所述第一介质层内形成所述第一开口。