[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 201910733153.X | 申请日： | 2019-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN112349586A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 刘志坤;董天化;曾红林 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底内形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构隔离出若干有源区；
对所述有源区进行离子注入；
离子注入后，在所述衬底上形成氮化硅层；
进行退火处理，在所述有源区形成深阱；
去除所述氮化硅层。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述氮化硅层的方法为化学气相沉积法。
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述化学气相沉积法的反应气体为SiH2Cl2和NH3，反应温度为650～800℃。
4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述反应气体SiH2Cl2和NH3的摩尔比例为1:2～1:1。
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述有源区包括第一有源区和第二有源区，对有源区进行离子注入包括：
在所述第一有源区注入N型离子，形成N阱区；
在所述第二有源区注入P型离子，形成P阱区。
6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，注入的N型离子为磷离子，离子注入剂量为1E12～2E12 atoms/cm2，注入能量为200～400KV。
7.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，注入的P型离子为硼离子，离子注入剂量为1.5E12～3.5E12 atoms/cm2，注入能量为80～150KV。
8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述退火处理的退火温度为1100～1200℃，退火时间为30～60min。
9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述深阱的离子注入深度为800～900nm。
10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用湿法腐蚀去除所述氮化硅层，所述湿法腐蚀的腐蚀液为磷酸溶液。
11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在进行离子注入前，还包括：在所述衬底上形成牺牲氧化层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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