[发明专利]一种高致密低电阻氧化铌旋转靶材及其制备方法

权利要求书

1.一种高致密低电阻氧化铌旋转靶材，其特征在于所述高致密低电阻氧化铌旋转靶材密度≥4.5g/cm³，电阻率≤1.4×10^-3Ω·cm，长度≥400mm，壁厚6—14mm。

2.一种高致密低电阻氧化铌旋转靶材的制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下步骤：

1）粉末混合：将氧化铌粉末与金属铌粉进行机械混合均匀；

2）粉末预烧：对步骤1）中混合后粉末进行真空预烧；

3）粉末处理：对步骤2）中预烧粉末进行球磨处理；

4）冷等静压成型：对步骤3）中处理粉末装入旋转靶材橡胶模具中使用冷等静压预压成型旋转靶材坯体；

5）坯体车削加工：对步骤4）中旋转靶材坯体进行车削整形加工；

6）真空热压烧结：对步骤5）中车削整形坯体置入石墨模具中进行热压真空烧结；

7）靶坯加工：对步骤6）中烧结旋转靶材靶坯进行按尺寸加工，即得到高致密低电阻旋转氧化铌靶材。

3.按照权利要求2所述一种高致密低电阻氧化铌旋转靶材制备方法，其特征在于所述步骤1）中，氧化铌粉末中掺入其重量的2-8%的金属铌粉。

4.按照权利要求3所述一种高致密低电阻氧化铌旋转靶材制备方法，其特征在于所述氧化铌粉末纯度不低于99.99wt%，粒径1-5μm；所述金属铌粉纯度不低于99.95wt%，粒径5-20μm。

5.按照权利要求2所述一种高致密低电阻氧化铌旋转靶材制备方法，其特征在于所述步骤2）中，真空预烧的真空度为100-1000Pa，在预烧温度500-900℃，预烧2-5小时。

6.按照权利要求2所述一种高致密低电阻氧化铌旋转靶材制备方法，其特征在于所述步骤3）中，粉末进行球磨4-8小时，过100-200目筛。

7.按照权利要求2所述一种高致密低电阻氧化铌旋转靶材制备方法，其特征在于所述步骤4）中，冷等静压压力200-350MPa。

8.按照权利要求2所述一种高致密低电阻氧化铌旋转靶材制备方法，其特征在于所述步骤5）中，将冷等静压预压成型不规则旋转靶材坯体进行车削整形规则。

9.按照权利要求2所述一种高致密低电阻氧化铌旋转靶材制备方法，其特征在于所述步骤6）中，将车削整形规则后的氧化铌旋转靶材坯体置入石墨模具中进行真空热压烧结，真空度为100-1000Pa；以100-400℃/h速度升温至900℃，保温2-4小时；随后以200-500℃/h速度升温至1200-1400℃，加压至30-50MPa后，保温8-12小时，之后自然降温至室温,。

10.按照权利要求2所述一种高致密低电阻氧化铌旋转靶材制备方法，其特征在于所述步骤7）中，氧化铌旋转靶材靶坯加工采用内、外圆磨床进行磨削加工。