[发明专利]用于抛光铜膜的CMP浆液组合物以及使用其抛光铜膜的方法

权利要求书

1.一种用于铜膜的CMP浆液组合物，包括：

选自极性溶剂和非极性溶剂当中的至少一种；金属氧化物磨料；甘氨酸；组氨酸；以及咪唑化合物。

2.根据权利要求1所述的用于铜膜的CMP浆液组合物，其中所述咪唑化合物包括由式1表示的化合物：

[式1]

其中R¹是氢、C₁到C₁₀烷基或C₆到C₂₀芳基；且R²、R³以及R⁴各自独立地是氢、C₁到C₁₀烷基、C₆到C₂₀芳基或卤素原子。

3.根据权利要求1所述的用于铜膜的CMP浆液组合物，其中所述咪唑化合物包括选自咪唑和甲基咪唑当中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的用于铜膜的CMP浆液组合物，其中以所述用于铜膜的CMP浆液组合物的总量计，所述甘氨酸和所述组氨酸以0.02重量％到10重量％的总量存在于所述用于铜膜的CMP浆液组合物中。

5.根据权利要求1所述的用于铜膜的CMP浆液组合物，还包括：

腐蚀抑制剂。

6.根据权利要求5所述的用于铜膜的CMP浆液组合物，其中以所述用于铜膜的CMP浆液组合物的总量计，所述腐蚀抑制剂以0.001重量％到5重量％的量存在于所述用于铜膜的CMP浆液组合物中。

7.根据权利要求5所述的用于铜膜的CMP浆液组合物，其中所述腐蚀抑制剂包括选自三唑和四唑当中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的用于铜膜的CMP浆液组合物，其中所述CMP浆液组合物具有5到9的pH。

9.一种抛光铜膜的方法，使用如权利要求1到8中任一项所述的用于铜膜的CMP浆液组合物。