[发明专利]霍尔元件芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种霍尔元件芯片，其特征在于，所述霍尔元件芯片包括：

衬底，具有第一表面；

设置在所述第一表面的绝缘阻挡层；

设置在所述绝缘阻挡层背离所述衬底一侧表面的锑化铟薄膜，所述锑化铟薄膜包括欧姆接触区；

覆盖所述欧姆接触区的过渡层；

铝电极，所述铝电极包括覆盖所述过渡层的第一部分以及延伸至所述绝缘阻挡层表面的第二部分；

其中，所述过渡层用于降低所述铝电极与所述锑化铟薄膜的接触电阻；所述第二部分用于完成焊接球焊接，以使得所述铝电极与框架电连接。

2.根据权利要求1所述的霍尔元件芯片，其特征在于，所述过渡层还覆盖所述锑化铟薄膜位于所述欧姆接触区的侧壁。

3.根据权利要求1所述的霍尔元件芯片，其特征在于，所述焊接球为硅铝丝球，所述第二部分表面固定有所述硅铝丝球，通过与所述硅铝丝球连接的硅铝线与所述框架电连接。

4.根据权利要求1所述的霍尔元件芯片，其特征在于，所述铝电极中的铝原子在所述铝电极覆盖的区域表面内形成一定深度扩散层。

5.根据权利要求1所述的霍尔元件芯片，其特征在于，所述霍尔元件芯片具有多个所述欧姆接触区，每个所述欧姆接触区对应设置一个相同图形的所述铝电极；

在垂直于所述衬底的方向上，所有所述铝电极与所述锑化铟薄膜组合为中心对称图形结构。

6.根据权利要求5所述的霍尔元件芯片，其特征在于，所述锑化铟薄膜包括：一体成型的正方形区块以及四个长方形区块，所述长方形区块的短边边长等于所述正方形区块的边长；所述正方形区块每条边均与一所述长方形区块的短边重合；

其中，每个所述长方形区块背离所述正方形区块的一端为一个所述欧姆接触区。

7.根据权利要求1-6任一项所述的霍尔元件芯片，其特征在于，所述衬底为软磁铁氧体衬底、硅衬底、玻璃衬底以及陶瓷衬底中的任一种；

或，所述过渡层的材料为铅、钽、铟、钴、铜、铬、钼、铁、钨、钛、锌、氧化锌和氧化锡中的任一种；

或，所述绝缘阻挡层为二氧化硅、氮化硅和三氧化二铝中的任一种。

8.一种霍尔元件芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一衬底，具有第一表面；

在所述第一表面形成绝缘阻挡层；

在所述绝缘阻挡层背离所述衬底一侧表面形成锑化铟薄膜，所述锑化铟薄膜包括欧姆接触区；

形成覆盖所述欧姆接触区的过渡层；

形成铝电极，所述铝电极包括覆盖所述过渡层的第一部分以及延伸至所述绝缘阻挡层表面的第二部分；

其中，所述过渡层用于降低所述铝电极与所述锑化铟薄膜的接触电阻；所述第二部分用于完成焊接球焊接，以使得所述铝电极与框架电连接。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述焊接球为硅铝丝球；

所述制作方法还包括：采用铝超声波压焊机在常温和空气中完成打线工艺，通过与所述硅铝丝球连接的硅铝线与所述框架电连接。

10.根据权利要求8或9所述的制作方法，其特征在于，形成所述铝电极的方法包括：

采用磁控溅射方法形成所述铝电极，使得所述铝电极中的铝原子在所述铝电极覆盖的区域表面内形成一定深度扩散层。