[发明专利]用于产生面光源的发光二极管装置及其制作方法

权利要求书

1.一种用于产生面光源的发光二极管装置，其特征在于，其包括：

一基板，其X-Y轴方向的热膨胀系数介于5至18ppm/℃之间，且依照ISO178测定的弯曲强度σfM介于400至600Mpa之间；

一金属布线层，其设置在所述基板的一顶面；以及

多个发光二极管芯片，其装设在所述基板的所述顶面以提供一面光源，所述发光二极管芯片的正极和负极分别与所述金属布线层电性连接。

2.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，所述基板开设有贯穿所述基板的多个通孔以及分别填充多个所述通孔的多个导热材料，多个所述发光二极管芯片设置在分别对应于所述通孔的位置，其中，所述通孔的直径介于0.1至1mm之间，且具有多个所述通孔与多个所述导热材料的所述基板的热阻值在50K/W以下。

3.根据权利要求2所述的发光二极管装置，其特征在于，所述发光二极管芯片的边长小于100um，且所述通孔的面积大于或等于所对应的所述发光二极管芯片的面积的40％。

4.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，所述基板的材料包括添加有二氧化硅、三氧化二铝、碳酸钙、二氧化钛或氢氧化铝其中一种无机金属粉体或其组合的双马来酰亚胺树脂或双马来酰亚胺-三氮杂苯树脂。

5.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，多个所述发光二极管芯片彼此之间的距离小于1mm。

6.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，所述发光二极管装置还包括：

一承载基材，其设置在所述基板的所述顶面上；以及

多个受激发材料，多个所述受激发材料设置在所述承载基材上；

其中，所述发光二极管芯片所发出的一带有第一波长的第一光束通过所述受激发材料而转换成一带有第二波长的第二光束。

7.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，所述发光二极管装置还包括：

多个感应组件，多个所述感应组件设置在所述基板上并与所述金属布线层电性连接；

其中，所述发光二极管芯片所发出且经过一生物组织反射的一光束被所述感应组件接收并转换为一电信号。

8.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，多个所述发光二极管芯片被封装在由自由曲面透镜所形成的一次光学结构中。

9.一种发光二极管装置的制作方法，其特征在于，其包括下列步骤：

提供一基板，所述基板为X-Y轴方向的热膨胀系数介于13至18ppm/℃之间，且依照ISO178测定的弯曲强度σfM介于400至600Mpa之间的板材；

于所述基板的一顶面上进行影像转移蚀刻以形成一金属布线层；以及

于所述基板的所述顶面设置多个发光二极管芯片，且使多个所述发光二极管芯片的正极和负极分别与所述金属布线层电性连接，以通过多个所述发光二极管芯片提供一面光源。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，在进行所述影像转移蚀刻的步骤前，还包括下列步骤：

在所述基板开设直径介于0.1至1mm之间且贯穿所述基板的多个通孔；以及

在所述顶面或所述底面设置一金属箔，并通过周期式脉冲电镀于所述通孔中分别填满一导热材料；

其中，在进行所述影像转移蚀刻的步骤后，将多个所述发光二极管芯片设置在分别对应于所述通孔的位置。

11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述发光二极管芯片的边长小于100um，且所述制作方法还进一步包括下列步骤：根据所述发光二极管芯片的面积设计所述通孔的位置以及尺寸，以使所开设的所述通孔的面积，大于或等于所对应的所述发光二极管芯片面积的40％。