[发明专利]集成电路装置

说明书

本发明涉及一种集成电路装置，并提供制作与采用层叠标记的方法。在一些实施例中，层叠标记包括：上侧层；以及下侧层，位于上侧层下。下侧层包括：多个第一复合光栅，延伸于第一方向中并位于层叠标记的第一区中，且第一复合光栅的每一者包括一个第一单元，以及至少两个第二单元位于第一单元的一侧上；以及多个第二复合光栅，延伸于第一方向中并位于层叠标记的第二区中，且第二复合光栅的每一者包括一个第三单元，以及至少两个第四单元位于第三单元的一侧上。第一复合光栅为第二复合光栅的镜像。

技术领域

本发明实施例关于半导体结构的形成方法，更特别关于微影所用的层叠标记。

背景技术

半导体集成电路产业已经历快速成长。集成电路材料与设计中的技术进展，使每一代的集成电路均比前一代具有更小且更复杂的电路。然而这些进展亦增加处理与形成集成电路的复杂性。为实施这些进展，处理与形成集成电路的方法需要类似发展。在集成电路演进中，功能密度(比如单位芯片面积中的内连线装置数目)通常随着几何尺寸(比如采用的制作制程所能产生的最小构件或线路)缩小而增加。

层叠标记已用于测量集成电路的多种层之间的对准或层叠。然而现有的层叠标记具有缺点。举例来说，具有上侧层与下侧层(有时称作底层)的现有层叠标记的测量准确性，可能受到底层中的光栅不对称影响。底光栅中的不对称会诱发额外的绕射级数，造成层叠准确性下降。虽然现有的层叠标记一般适用于其发展目的，但仍无法完全满足所有方面。

发明内容

本发明一实施例提供的集成电路装置，包括：层叠标记，位于基板上，其中层叠标记包括：上侧层；以及下侧层，位于上侧层下，且下侧层包括：多个第一复合光栅，延伸于第一方向中并位于层叠标记的第一区中，且第一复合光栅的每一者包括一个第一单元，以及至少两个第二单元位于第一单元的一侧上；以及多个第二复合光栅，延伸于第一方向中并位于层叠标记的第二区中，且第二复合光栅的每一者包括一个第三单元，以及至少两个第四单元位于第三单元的一侧上；其中第一单元与第三单元各自具有沿着第二方向的第一宽度，且第二方向垂直于第一方向，其中第二单元的每一者与第四单元的每一者具有沿着第二方向的第二宽度，且第二宽度小于第一宽度，其中第一复合光栅为第二复合光栅的镜像。

本发明一实施例提供的半导体装置的制作方法，包括：图案化层叠标记于基板上，其中层叠标记包括：上侧层，包括多个光栅延伸于第一方向中；以及下侧层，位于上侧层下，且下侧层包括：多个第一复合光栅延伸于第一方向中并位于层叠标记的第一区中，第一复合光栅的每一者包括一个第一单元、一个第二单元、与至少两个第三单元位于第一单元与第二单元之间；以及多个第二复合光栅延伸于第一方向中并位于层叠标记的第二区中；以及采用对准标记进行一或多道半导体制作制程，其中第一单元沿着第二方向具有第一宽度，而第二方向垂直于第一方向，至少两个第三单元的每一者沿着第二方向具有第二宽度，且第二宽度小于第一宽度，其中第二复合光栅为第一复合光栅的镜像，其中光栅相对于至少两个第三单元，在第二方向中偏移。

本发明一实施例提供的制作层叠标记于基板上的方法，包括：以间距配置多个第一芯结构于基板的第一区中，第一芯结构延伸于第一方向中，其中第一芯结构的每一者包括一个第一芯，与至少两个第二芯位于第一芯的一侧上；其中第一芯沿着第二方向具有第一宽度，第二方向垂直于第一方向，且第二芯的每一者沿着第二方向具有第二宽度，而第一宽度大于第二宽度；以间距配置多个第二芯结构于基板的第二区中，使第二芯结构包括第一芯结构的镜像；形成多个间隔物于第一芯结构与第二芯结构的侧壁上；以及移除第一芯结构与第二芯结构。

附图说明

图1是本发明一些实施例中，微影系统的附图。

图2是本发明一些实施例中，极紫外线光罩的剖视图。

图3是本发明一些实施例中，层叠标记100的简化部分剖视图。

图4A是本发明一些实施例中，上侧层1400与下侧层1300的部分剖视图。