[发明专利]半导体器件和制造方法在审
| 申请号： | 201910728437.X | 申请日： | 2019-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN111816564A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 李欣怡;李达元;苏庆煌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/49;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 桑敏 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：
在半导体鳍上方沉积栅极电介质；
在所述栅极电介质上方沉积第一p-金属功函数层；
用含硅气体处理所述第一p-金属功函数层；以及
在所述第一p-金属功函数层上方沉积第一n-金属功函数层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述含硅气体是硅烷。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，沉积所述第一p-金属功函数层对氮化钛进行沉积。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一n-金属功函数层包括碳化钛铝。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，处理所述第一p-金属功函数层阻止铝从所述碳化钛铝中扩散。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述第一n-金属功函数层上方沉积胶层。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述第一p-金属功函数层将所述第一p-金属功函数层沉积到不大于的第一厚度，并且其中在用所述含硅气体处理所述第一p-金属功函数层之后，所述第一p-金属功函数层具有所述第一厚度。
8.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：
在半导体鳍上方的栅极电介质上方沉积第一p-金属功函数层；
在所述第一p-金属功函数层上沉积第一n-金属功函数层，所述第一n-金属功函数层包括第一扩散元素；以及
通过在沉积所述第一n-金属功函数层之前将硅引入所述第一p-金属功函数层来阻止所述第一扩散元素扩散。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，引入所述硅包括将所述第一p-金属功函数层浸泡在含硅气体中。
10.一种半导体器件，包括：
半导体鳍；
栅极电介质，在所述半导体鳍上方；
第一p-金属功函数层，在所述栅极电介质上方，所述第一p-金属功函数层包括硅；
第一n-金属功函数层，在所述第一p-金属功函数层上方；以及
铝，位于所述第一p-金属功函数层和所述第一n-金属功函数层两者内，其中所述铝的浓度梯度从所述第一n-金属功函数层延伸到所述第一p-金属功函数层，但在延伸到所述栅极电介质之前结束。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
