[发明专利]集成电子元件模块、包含其的半导体封装体及其制造方法

权利要求书

1.一种无衬底的集成电子元件模块，用于半导体封装体中，所述集成电子元件模块包括：

至少两个电子元件，所述至少两个电子元件中的每一个电子元件具有第一电连接体；以及

第一模塑料，包封所述至少两个电子元件，所述第一模塑料包括所述集成电子元件模块的第一平坦表面和相对的第二平坦表面，

其中，所述第一电连接体中的每一个直接暴露于所述集成电子元件模块的第一平坦表面上。

2.如权利要求1所述的集成电子元件模块，其中，所述至少两个电子元件包含以下各项中的一种或多种的任意组合：多层陶瓷电容器、硅基电容器、电阻器、电感器、应用专用集成电路裸芯、通用用途集成电路裸芯、晶片级芯片规模封装体以及方形扁平无引脚封装低压差稳压器。

3.如权利要求1所述的集成电子元件模块，还包括形成于所述第一电连接体的仅一部分之上的导电凸块，其中，所述导电凸块的顶表面和之上没有导电凸块的第一电连接体的顶表面全部彼此共平面。

4.如权利要求1所述的集成电子元件模块，还包括形成于所述第一电连接体中的每一个之上的导电凸块，其中，所述导电凸块的顶表面全部彼此共平面。

5.如权利要求1所述的集成电子元件模块，其中，所述第一电连接体在最接近的相邻所述第一电连接体之间具有小于10μm的间隔。

6.一种半导体封装体，包括：

无衬底的集成电子元件模块，所述集成电子元件模块包括：

至少两个电子元件，所述至少两个电子元件中的每一个电子元件具有第一电连接体；以及

第一模塑料，包封所述至少两个电子元件，所述第一模塑料包括所第一平坦表面和相对的第二平坦表面；

半导体器件，包括第二电连接体；

第二模塑料，包封所述集成电子元件模块和所述半导体器件，所述第二模塑料包括的第三平坦表面和相对的第四平坦表面，所述第三平坦表面相对于所述第二平坦表面更接近所述第一平坦表面；以及

重分布层，所述重分布层形成于所述第三平坦表面之上；

其中，所述第一电连接体中的每一个直接暴露于所述第一平坦表面上，并且与所述重分布层电连接，并且

其中，所述半导体器件的第二电连接体中的每一个延伸至所述第三平坦表面，并且与所述重分布层电连接。

7.如权利要求6所述的半导体封装体，其中，所述半导体封装体是无衬底的。

8.如权利要求6所述的半导体封装体，其中，所述至少两个电子元件包含以下各项中的一种或多种的任意组合：多层陶瓷电容器、硅基电容器、电阻器、电感器、应用专用集成电路裸芯、通用用途集成电路裸芯、晶片级芯片规模封装体以及方形扁平无引脚封装低压差稳压器。

9.如权利要求6所述的半导体封装体，其中，所述集成电子元件模块还包括形成于所述第一电连接体的仅一部分之上的导电凸块，并且其中，所述导电凸块的顶表面和之上没有导电凸块的第一电连接体的顶表面全部彼此共平面。

10.如权利要求6所述的半导体封装体，其中，所述集成电子元件模块还包括形成于所述第一电连接体中的每一个之上的导电凸块，并且其中，所述导电凸块的顶表面全部彼此共平面。

11.如权利要求6所述的半导体封装体，其中，所述第一电连接体在最接近的相邻所述第一电连接体之间具有小于10μm的间隔。

12.如权利要求6所述的半导体封装体，其中，所述半导体器件包括多个堆叠的存储器裸芯。

13.如权利要求12所述的半导体封装体，其中，所述集成电子元件模块与所述半导体器件以并排方式设置在所述重分布层之上。