[发明专利]发光二极管及包括该发光二极管的电致发光显示装置有效
| 申请号： | 201910726956.2 | 申请日： | 2019-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN110828677B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 琴台一;俞台善;金信韩;金池泳 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 李琳;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 包括 电致发光 显示装置 | ||
1.一种发光二极管，包括：
彼此面对的第一电极和第二电极；
所述第一电极与所述第二电极之间的第一电荷产生层；
第一发光叠层，所述第一发光叠层包括所述第一电极与所述第一电荷产生层之间的第一发光材料层以及所述第一发光材料层与所述第一电荷产生层之间的第一电子传输层；以及
第二发光叠层，所述第二发光叠层包括所述第一电荷产生层与所述第二电极之间的第二发光材料层以及所述第二发光材料层与所述第二电极之间的第二电子传输层，
其中，所述第一电荷产生层由第一N型电荷产生层和第一P型电荷产生层构成，
其中，所述第一N型电荷产生层的电子迁移率大于所述第一电子传输层的电子迁移率，
其中，所述第一电子传输层包含具有嘧啶核的材料，所述第一N型电荷产生层包含具有菲咯啉核的材料。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述第一N型电荷产生层的所述电子迁移率在5×10-5cm2/Vs～1×10-4cm2/Vs的范围内，并且所述第一电子传输层的所述电子迁移率在1×10-6cm2/Vs～1×10-5cm2/Vs的范围内。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述第一电子传输层的厚度小于所述第二电子传输层的厚度。
4.根据权利要求3所述的发光二极管，其中，所述第一电子传输层的所述厚度在至的范围内。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述第一电子传输层的厚度小于所述第一N型电荷产生层的厚度。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述第一电子传输层的所述材料由式1表示，并且所述第一N型电荷产生层的所述材料由式3表示：
[式1]
[式3]
其中，R是C6至C30芳基，L是C6至C30亚芳基。
7.根据权利要求6所述的发光二极管，其中，所述第一电子传输层的所述材料为式2表示，并且所述第一N型电荷产生层的所述材料为式4的材料：
[式2]
[式4]
8.根据权利要求1所述的发光二极管，还包括：
第二电荷产生层，所述第二电荷产生层在所述第一电荷产生层与所述第二发光叠层之间；以及
第三发光叠层，所述第三发光叠层在所述第一电荷产生层与所述第二电荷产生层之间，并且包括第三发光材料层和在所述第三发光材料层与所述第二电荷产生层之间的第三电子传输层。
9.根据权利要求8所述的发光二极管，其中，所述第一电子传输层的厚度小于所述第三电子传输层的厚度。
10.根据权利要求8所述的发光二极管，其中，所述第二电荷产生层由第二N型电荷产生层和第二P型电荷产生层构成，所述第一电子传输层的厚度小于所述第二N型电荷产生层的厚度。
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