[发明专利]无模板制备硅纳米管的熔盐电化学方法有效
| 申请号： | 201910725695.2 | 申请日： | 2019-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN110512223B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 肖巍;杨佳榕;翁威 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C25B1/00 | 分类号： | C25B1/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 罗敏清 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 模板 制备 纳米 电化学 方法 | ||
1.一种无模板制备硅纳米管的熔盐电化学方法，其特征在于，包括：
设置阴极和阳极并置于熔盐电解质中，在阴极电解硅前驱物获得硅纳米管，其中，在电解硅前驱物时，添加与硅形成低熔点合金的金属前驱物，其中，电解温度为400-1000℃；
上述熔盐电解质为LiCl、NaCl、KCl、CaCl2、MgCl2的一元或多元混盐；
金属前驱物为金属对应的氯化盐、硝酸盐、碳酸盐或氯酸盐中的一种或多种，其中，所述金属为Zn、Fe、Co、Ni、Cu、Ag、Sn、Bi、Au、Pt中的一种或多种。
2.如权利要求1所述的无模板制备硅纳米管的熔盐电化学方法，其特征在于，硅前驱物直接作为固态阴极或溶解于熔盐中进行电解。
3.如权利要求1所述的无模板制备硅纳米管的熔盐电化学方法，其特征在于，硅前驱物包括CaSiO3、Na2SiO3、K2SiO3、MgSiO3、BaSiO3、Al2(SiO3)3及SiO2中的一种或多种。
4.如权利要求1所述的无模板制备硅纳米管的熔盐电化学方法，其特征在于，金属前驱物添加于含有硅前驱物的固态阴极中或溶解于熔盐中。
5.如权利要求1所述的无模板制备硅纳米管的熔盐电化学方法，其特征在于，金属前驱物和硅前驱物的摩尔比为（0.01-100）:1。
6.如权利要求1所述的无模板制备硅纳米管的熔盐电化学方法，其特征在于，电解槽压低于熔盐碱金属析出电压，高于金属前驱物中金属析出的电压。
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