[发明专利]背面研磨带

说明书

本发明提供在切割之后进行的背面研磨工序中使用的背面研磨带，其是在防止背面研磨时会产生的芯片缺损的同时对凹凸面的追随性优异的背面研磨带。本发明的背面研磨带依次具备粘合剂层、中间层和第1基材，构成该中间层的材料为具有羧基且未交联的丙烯酸类树脂，该中间层在23℃下的储能模量E’为200MPa以下，将该粘合剂层粘贴在Si镜面晶圆上时的初始粘合力为1N/20mm～30N/20mm。

技术领域

本发明涉及背面研磨带。更具体而言，涉及适宜在切割工序后进行的背面研磨工序中使用的背面研磨带。

背景技术

作为电子部件的集合体的工件(例如半导体晶圆)以大直径制造，切断分离(切割)成元件小片，进一步转至安装工序。该切割工序将工件切断，进行小片化。为了固定切割后的工件，通常在工件上粘贴粘合带(切割带)之后再进行切割(例如专利文献1)。作为切割的方法之一，已知有利用激光来切割工件的方法。作为这种切割方法，多采用使激光在工件的表面聚光、在该工件的表面形成凹槽之后再将工件切断的方法。另一方面，近年来，还提出了使激光在工件的内部聚光、在该处对工件进行改质之后将工件切断的隐形切割。

此外，通常，半导体晶圆的加工中，进行背面研磨直至达到规定的厚度(例如100μm～600μm)(背面研磨工序)。迄今，在半导体晶圆的表面形成图案后，将表面固定于背面研磨带进行背面研磨(backgrind)，然后进行切割工序。背面研磨带要求具有半导体晶圆的固定性，此外，半导体晶圆的表面有时会形成有凸块，要求具有适宜地掩埋由该凸点导致的凹凸的优异的固定性以及能够防止研磨水的浸入。

另一方面，近年来，为了提高上述隐形切割的有用性，正在研究在进行隐形切割后将表面固定于背面研磨带来进行背面研磨工序的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-007646号公报

发明内容

发明要解决的问题

如上所述在背面研磨工序前进行切割的话，会产生在背面研磨时经小片化的芯片相互干扰而发生芯片缺损这一新的问题。

本发明的课题在于提供在切割之后进行的背面研磨工序中使用的背面研磨带，其是在防止背面研磨时会产生的芯片缺损的同时对凹凸面的追随性优异的背面研磨带。

用于解决问题的方案

本发明的背面研磨带依次具备粘合剂层、中间层和第1基材，构成该中间层的材料为具有羧基且未交联的丙烯酸类树脂，该中间层在23℃下的储能模量E’为200MPa以下，将该粘合剂层粘贴在Si镜面晶圆上时的初始粘合力为1N/20mm～30N/20mm。

在1个实施方式中，上述第1基材由聚对苯二甲酸乙二醇酯构成。

在1个实施方式中，上述第1基材的厚度为35μm～200μm。

在1个实施方式中，上述粘合剂层的厚度为1μm～50μm。

在1个实施方式中，上述中间层的厚度为20μm～300μm。

在1个实施方式中，上述背面研磨带在对经隐形切割的半导体晶圆进行背面研磨时使用。

在1个实施方式中，上述半导体晶圆具有凸点面。

发明的效果

根据本发明，能够提供防止背面研磨时会产生的芯片缺损的背面研磨带。本发明的背面研磨带作为在切割(优选为隐形切割)之后进行的背面研磨工序中使用的背面研磨带是有用的。此外，本发明的背面研磨带的响应追随性优异，特别是作为具有凸点面的半导体晶圆的背面研磨带是有用的。