[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具有：

半导体层；

源电极，设置于所述半导体层的一方的主面上；

漏电极，设置于所述半导体层的另一方的主面上；以及

绝缘栅部，

所述半导体层具有：

第1导电类型的漂移区域；

第1导电类型的JFET区域，设置于所述漂移区域上；

第2导电类型的主体区域，设置于所述漂移区域上且与所述JFET区域邻接；以及

第1导电类型的源区域，通过所述主体区域从所述JFET区域隔开，

所述绝缘栅部和隔开所述JFET区域与所述源区域的部分的所述主体区域相向，

在所述半导体层内形成有空隙，所述漂移区域、所述JFET区域、以及所述主体区域在所述空隙露出。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述空隙在从与所述半导体层的所述一方的主面正交的方向观察时，位于所述主体区域的存在范围内。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

在所述空隙露出的所述主体区域的面是如朝向所述空隙变凸那样的曲面。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述空隙在从与所述半导体层的所述一方的主面正交的方向观察时，位于所述JFET区域的存在范围内。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

在所述空隙露出的所述JFET区域的面是如朝向所述空隙变凸那样的曲面。

6.根据权利要求1～5中的任意一项所述的半导体装置，其中，

所述半导体层的材料是氮化物半导体。

7.一种半导体装置的制造方法，具备：

准备第1半导体层的工序，在该第1半导体层的一方的主面侧邻接地设置有第1导电类型的JFET区域和第2导电类型的主体区域；

从所述第1半导体层的另一方的主面侧去除所述第1半导体层直至所述JFET区域和所述主体区域露出的工序；

在去除所述第1半导体层而出现的面形成所述JFET区域和所述主体区域露出的槽的工序；以及

通过以覆盖所述槽的方式形成第1导电类型的漂移区域，形成所述漂移区域、所述JFET区域、及所述主体区域露出的空隙的工序。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，

准备所述第1半导体层的工序具有：

形成从所述第1半导体层的所述一方的主面贯通所述JFET区域的一部分的沟槽的工序；

以覆盖所述沟槽的内壁面的方式形成牺牲膜的工序；

以在所述沟槽的侧面与底面之间构成的角部使所述牺牲膜的一部分残存的方式去除所述牺牲膜的工序；以及

在所述牺牲膜的一部分残存的状态下，以填充所述沟槽的方式形成所述主体区域的工序，

形成所述槽的工序具有去除残存的所述牺牲膜的一部分的工序。

9.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，

准备所述第1半导体层的工序具有：

形成从所述第1半导体层的所述一方的主面贯通所述主体区域的一部分的沟槽的工序；

以覆盖所述沟槽的内壁面的方式形成牺牲膜的工序；

以在所述沟槽的侧面与底面之间构成的角部使所述牺牲膜的一部分残存的方式去除所述牺牲膜的工序；以及

在所述牺牲膜的一部分残存的状态下，以填充所述沟槽的方式形成所述JFET区域的工序，

形成所述槽的工序具有去除残存的所述牺牲膜的一部分的工序。

10.根据权利要求7～9中的任意一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述第1半导体层的材料是氮化物半导体。

11.根据权利要求7～10中的任意一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

形成所述空隙的工序具有将设置有所述漂移区域的第2半导体层接合到所述第1半导体层的工序。

12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述第2半导体层的材料是氮化物半导体。