[发明专利]MEMS结构、MEMS结构的制作方法及胎压传感器

权利要求书

1.一种MEMS结构，其特征在于，包括第一器件，所述第一器件包括：

第一支承部件；

悬梁部件，包括相对的第一端和第二端，所述第一端与所述第一支承部件固定，所述第二端悬空；

质量块，连接于所述悬梁部件的第二端；以及

第一压敏组件，至少部分位于所述悬梁部件内，所述第一压敏组件根据所述悬梁部件的形变产生第一电信号，

其中，所述悬梁部件及所述质量块位于SOI衬底内，所述SOI衬底具有相对的第一表面和第二表面，所述SOI衬底包括自所述第一表面至所述第二表面依次叠层设置的第一硅层、第一绝缘层、第二硅层、第二绝缘层以及第三硅层，所述悬梁部件在厚度维度上包含所述第三硅层，所述质量块在厚度维度上包含所述第二硅层、所述第二绝缘层以及所述第三硅层；

还包括第二器件，所述第二器件包括：

第二支承部件；

可形变膜，所述可形变膜的周边与所述第二支承部件连接；

第二腔体，位于所述可形变膜的厚度方向的一侧；以及

第二压敏组件，至少部分位于所述可形变膜内，所述第二压敏组件根据所述可形变膜的形变产生第二电信号，

其中，所述可形变膜、所述第二腔体位于所述SOI衬底内，所述可形变膜在厚度维度上包含所述第二硅层、所述第二绝缘层以及所述第三硅层，所述第二腔体在厚度维度上贯穿所述第一硅层以及所述第一绝缘层。

2.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述第一器件还包括：

第一腔体，围绕所述质量块，使得所述质量块悬空于所述第一腔体，其中所述第一腔体自所述SOI衬底的所述第一表面向所述第二表面凹陷。

3.根据权利要求2所述的MEMS结构，其特征在于，所述SOI衬底的所述第一表面接合有第一衬底，所述第一衬底封闭所述第一腔体在所述第一表面的开口。

4.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述SOI衬底的所述第二表面接合有第二衬底，所述第二衬底具有朝向所述SOI衬底的接合面，所述第二衬底包括位于所述接合面的第一凹槽，所述第一凹槽与所述第一器件位置对应。

5.根据权利要求1至4任一项所述的MEMS结构，其特征在于，所述第一器件为加速度传感器；

所述第一压敏组件包括位于所述悬梁部件内的多个第一压敏电阻，所述多个第一压敏电阻电连接为惠斯特电桥。

6.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述SOI衬底的所述第一表面接合有第一衬底，所述第一衬底具有连通外界与所述第二腔体的进气通道，在垂直于厚度方向的平面上，所述进气通道的尺寸小于所述第二腔体的尺寸。

7.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述SOI衬底的所述第二表面接合有第二衬底，所述第二衬底具有朝向所述SOI衬底的接合面，所述第二衬底包括位于所述接合面的第二凹槽，所述第二凹槽与所述第二器件位置对应。

8.根据权利要求1至7任一项所述的MEMS结构，其特征在于，所述第二器件为压力传感器；

所述第二压敏组件包括位于所述悬梁部件内的多个第二压敏电阻，所述多个第二压敏电阻电连接为惠斯特电桥。

9.一种胎压传感器，其特征在于，包括根据权利要求1至8任一项所述的MEMS结构。