[发明专利]一种使用公共参考电压的磁性随机存储器芯片架构在审
| 申请号: | 201910722138.5 | 申请日: | 2019-08-06 |
| 公开(公告)号: | CN112349321A | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
| 发明(设计)人: | 戴瑾 | 申请(专利权)人: | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号: | G11C11/16 | 分类号: | G11C11/16 |
| 代理公司: | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人: | 于晓菁 |
| 地址: | 201815 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 使用 公共 参考 电压 磁性 随机 存储器 芯片 架构 | ||
1.一种使用公共参考电压的磁性随机存储器芯片架构,包括多个存储阵列和至少一个读参考系统,其中,所述存储阵列的读出电路中,包括若干电压检测器,通过行解码器和列解码器的控制连接选中的磁性随机存储器存储单元阵列的源极线及位线,将磁性随机存储器存储单元阵列的电阻转变为电压信号输出;若干比较器,位于存储阵列中,所述若干比较器的每一者的一端连接一个电压检测器以接收磁性随机存储器存储单元阵列的电压信号输出,另一端接收所述读参考系统所输出的公共参考电压,并比较磁性随机存储器存储单元阵列的电压信号及公共参考电压;以及
所述读参考系统,包括一控制器及一电压检测器,将一组参考单元的平均电阻,转变为电压信号,输出成为公共参考电压,所述产生的公共参考电压,于所述存储阵列的读出电路使用,以避免磁性隧道结电阻特性发生大范围的变化。
2.如权利要求1所述使用公共参考电压的磁性随机存储器芯片架构,其特征在于,所述读参考系统的电压,是通过一开关输出到一电容器上存储。
3.如权利要求1所述使用公共参考电压的磁性随机存储器芯片架构,其特征在于,所述读参考系统的参考单元组可以并联方式进行。
4.如权利要求1所述使用公共参考电压的磁性随机存储器芯片架构,其特征在于,所述读参考系统的所述控制器,周期性地测量参考单元组的电阻,用于输出电压给电容器并重新充电,然后关断所述开关让所述电容器保持电压状态。
5.如权利要求1所述使用公共参考电压的磁性随机存储器芯片架构,其特征在于,所述存储阵列的所述每一个电压检测器的输出,皆连接一比较器。
6.如权利要求5所述使用公共参考电压的磁性随机存储器芯片架构,其特征在于,所述存储阵列的所述比较器负责比较所述电压检测器的输出及公共参考电压,并输出读出的数据。
7.如权利要求1所述使用公共参考电压的磁性随机存储器芯片架构,其特征在于,所述存储阵列配置一缓冲调整器,所述缓冲调整器可以接收来自所述行解码器的输出,并根据行的位址,对由于导线电阻带来的偏差进行补偿。
8.如权利要求7所述使用公共参考电压的磁性随机存储器芯片架构,其特征在于,所述缓冲调整器对导线电阻带来的偏差进行补偿时,提高公共参考电压并进行补偿,之后根据行解码器的行位址输出,可以得到行的位址,并进一步对可调电阻进行调整,并得到调整后的参考电压,然后输出电压。
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