[发明专利]用于经光刻加工的半导体器件的工艺控制方法

权利要求书

1.一种先进工艺控制方法，包括：

使用曝光工具组件将涂覆半导体衬底的光致抗蚀剂层曝光于曝光束，其中，对于每次曝光，使用至少包括散焦值和曝光剂量的当前曝光参数集；

对经曝光的光致抗蚀剂层进行显影以形成抗蚀剂图案；

测量所述抗蚀剂图案的特征特性和/或由所述抗蚀剂图案得到的衬底图案的特征特性，并响应于所测得的特征特性与目标特征特性的偏差来更新所述当前曝光参数集；

估计在不更新所述曝光参数集的情况下形成的假想抗蚀剂图案的未经校正的特征特性；以及

以下操作中的至少一个：(i)响应于从所述未经校正的特征特性获得的信息来改变所述特征特性的测量策略，以及(ii)响应于从所述未经校正的特征特性获得的信息来更新所述当前曝光参数集。

2.如权利要求1所述的先进工艺控制方法，进一步包括：

使用所述曝光工具组件将涂覆半导体衬底的光致抗蚀剂层曝光于曝光束，其中，使用经更新的曝光参数集。

3.如权利要求1所述的先进工艺控制方法，包括：

响应于从所述未经校正的特征特性和从晶片上下文信息获得的信息来更新所述当前曝光参数集，其中，所述晶片上下文信息包含关于所述半导体衬底的工艺历史的信息。

4.如权利要求3所述的先进工艺控制方法，其中，

更新所述当前曝光参数集仅考虑被分配到衬底组的半导体衬底，其中，被分配到所述衬底组的所述半导体衬底在所述晶片上下文信息中共享至少一个公共参数，并且其中，所述衬底组包括所述半导体衬底的真子集。

5.如权利要求4所述的先进工艺控制方法，其中，

被分配到所述衬底组的所述半导体衬底的未经校正的特征特性显示出与所有其他半导体衬底的未经校正的特征特性之间的相关性不同的相关性。

6.如权利要求1所述的先进工艺控制方法，包括：

通过修改采样计划来改变所述测量策略，所述采样计划包括关于所述半导体衬底的表面上的采样点的位置信息，其中，所述特征特性是在所述采样点处测量的。

7.如权利要求6所述的先进工艺控制方法，包括：

基于包括第一数量的采样点的原始采样计划确定晶片模型的第一模型系数；

基于所述采样点的真子集确定所述晶片模型的第二模型系数；以及

如果所述第一模型系数与所述第二模型系数之间的偏差低于预定义阈值，则用包括所述采样点的真子集的新采样计划代替所述原始采样计划。

8.如权利要求1所述的先进工艺控制方法，其中，

所述抗蚀剂图案和/或所述衬底图案包括多个抗蚀剂特征，并且所述特征特性包括以下至少一项：圆形抗蚀剂特征的直径、抗蚀剂特征的侧壁角度、抗蚀剂特征的高度尺寸、非圆形抗蚀剂特征的短轴长度、非圆形抗蚀剂特征的长轴长度、条形抗蚀剂特征的线宽、抗蚀剂特征之间的间隔宽度、抗蚀剂特征的面积、以及抗蚀剂特征的线边缘粗糙度。

9.一种晶片制造组件，包括：

曝光工具组件(320)，所述曝光工具组件被配置为i)根据当前曝光参数集将涂覆半导体衬底的光致抗蚀剂层曝光于曝光束，以及ii)通过经曝光的光致抗蚀剂层形成抗蚀剂图案；

计量单元(330，350)，所述计量单元被配置为测量所述抗蚀剂图案和由所述抗蚀剂图案得到的衬底图案中的至少一者的特征特性；

先进工艺控制(APC)单元(290)，所述APC单元被配置为响应于所测得的特征特性与目标特征特性的偏差来更新所述曝光参数集；以及

计算单元(200)，所述计算单元被配置为估计在不更新所述曝光参数集的情况下形成的假想抗蚀剂图案的未经校正的特征特性。

10.如权利要求9所述的晶片制造组件，其中，

所述计算单元(200)被配置为响应于从所述未经校正的特征特性获得的信息来进行以下至少一项：(i)改变所述特征特性的测量策略，以及(ii)更新所述当前曝光参数集。