[发明专利]OLED显示面板在审
申请号: | 201910719810.5 | 申请日: | 2019-08-06 |
公开(公告)号: | CN110534548A | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
发明(设计)人: | 卢瑞;曹君 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人: | 黄威<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板 挡墙 非显示区域 交错设置 显示区域 相邻两列 排布 | ||
一种OLED显示面板,具有一基板,所述基板包括:显示区域和非显示区域,并在所述非显示区域内设置至少一个挡墙,所述挡墙突出于所述基板的表面,其中,所述挡墙上设置多个第一凹槽,多个所述第一凹槽排布成至少两列,并且相邻两列的所述第一凹槽交错设置,所述第一凹槽的深度小于或等于所述挡墙突出于所述基板的表面的高度;或者至少一个所述第一凹槽的深度大于所述挡墙突出于所述基板的表面的高度。
技术领域
本发明涉及显示领域,尤其涉及一种OLED显示面板。
背景技术
随着显示技术的发展,柔性显示器件因其重量轻、厚度薄、可弯曲、视角范围大等优点,有了更广泛的应用。而OLED器件201(OLED)的材料对水氧很敏感,少量的水氧入侵即可造成器件的快速衰减及老化,从而影响OLED的寿命。为了保证柔性显示器件的使用寿命,其封装技术尤为重要。
现有的OLED薄膜封装层300(TFE)设计,一般采用有机/无机膜层堆叠结构来达到阻隔水氧的目的。其中,无机膜的主要作用是隔绝水氧,有机膜的主要作用是包裹颗粒(particle)、缓释应力等作用。目前关于薄膜封装中有机膜层的制备,一般可通过电浆辅助化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)、原子层沉积技术(atomic layer deposition,ALD)及喷墨打印(ink-jet printing,IJP)等方法得到。如图2a所示,OLED显示面板包括一显示区域10及一包围所述显示区域10的非显示区域20,为了防止有机膜流出无机膜的覆盖区域,一般会在所述非显示区域20内设计一个或多个挡墙1,并且再所述挡墙1上采用化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition,CVD)方式制备所述薄膜封装层300的第一层无机层301和第二层无机层303,采用喷墨打印(ink-jetprinting,IJP)方式在所述第一层无机层301和第二层无机层303之间制备至少一第一层有机层302,以此类推,如图1所示。
然而在实际的有机膜层沉积过程中,很难保证有机膜从所述显示区域10至所述非显示区域20的流平效果。由于有机液体从所述显示区域10至非显示区域20的流动速度变慢,导致所述非显示区域20有机膜层变薄,失去覆盖颗粒的能力,如图2a和图2b所示,其中,图2b的横轴的A表示显示区域10,横轴B表示非显示区域20,纵轴表示有机膜的厚度,C表示有机膜过薄现象。当有机液体足以在所述非显示区域20流平,保证有机膜层厚度时,很容易导致有机膜的覆盖区域超出所述挡墙区域,形成有机液体溢出(overflow)问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED显示面板,具有一基板,所述基板包括:显示区域和非显示区域,并在所述非显示区域内设置至少一个挡墙,所述挡墙突出于所述基板的表面,其中,所述挡墙上设置多个第一凹槽,多个所述第一凹槽排布成至少两列,并且相邻两列的第一凹槽交错排布。本发明所述OLED显示面板通过在挡墙上形成多个第一凹槽,利用所述第一凹槽使得当有机液体流到非显示区域时的膜厚不至于过薄,从而改善封装结构中有机膜的流平效果,改善液体溢出问题和边缘过薄、无法有效包裹颗粒的问题。
为了实现上述目的,本发明采取了以下技术方案。
本发明提供一种OLED显示面板,包括:基板,所述基板包括:显示区域和非显示区域,并在所述非显示区域内设置至少一个挡墙,所述挡墙突出于所述基板的表面,其中,至少一个所述挡墙上设置多个第一凹槽。
进一步,多个所述第一凹槽排布成至少两列,且相邻两列的第一凹槽交错设置。
进一步,每一所述第一凹槽的长度为10μm~60μm,宽度为4μm~10μm,相邻两个所述凹槽的间距为4μm~10μm。
进一步,多个所述第一凹槽的深度相同或者不同。
进一步,所述第一凹槽的深度小于或等于所述挡墙突出于所述基板的表面的高度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的