[发明专利]用于功率放大器的击穿保护电路

权利要求书

1.设备，包括：

放大器；和

保护电路，电耦合到所述放大器的控制端子，所述保护电路被配置为至少部分地基于所述放大器的控制端子处或所述放大器的电源端子处的阈值功率的存在来减小所述放大器处的电压摆动。

2.权利要求1所述的设备，其中为了减少所述放大器处的电压摆动，所述保护电路被配置为降低所述放大器的电源端子处的电压。

3.权利要求1所述的设备，其中所述放大器包括晶体管，其中所述控制端子包括所述晶体管的控制端子，并且其中所述电源端子包括所述晶体管的电源端子。

4.权利要求3所述的设备，其中晶体管包括互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管，其中所述电压摆动包括在CMOS晶体管的漏极和CMOS晶体管的源极之间的电压摆动。

5.权利要求3所述的设备，其中所述保护电路包括晶体管，其中所述保护电路的晶体管的控制端子电耦合到所述放大器的晶体管的控制端子。

6.权利要求5所述的设备，其中所述保护电路的晶体管的电源端子电耦合到所述放大器的晶体管的电源端子。

7.权利要求6所述的设备，其中所述保护电路还包括以下中的至少一种：

第一传感元件，电耦合在所述保护电路的晶体管的控制端子与所述放大器的晶体管的控制端子之间；或

第二传感元件，电耦合在所述保护电路的晶体管的电源端子与所述放大器的晶体管的电源端子之间。

8.权利要求7所述的设备，其中所述第一传感元件或所述第二传感元件中的至少一种包括电容器、电阻器、电感器、二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、双极结晶体管(BJT)、传输线或耦合器中的一种或多种。

9.权利要求1所述的设备，其中所述放大器包括堆叠布置的第一晶体管和第二晶体管，使得所述第一晶体管的电源端子电耦合到所述第二晶体管的电源端子，并且其中所述控制端子包括所述第一晶体管的控制端子。

10.权利要求9所述的设备，其中所述保护电路包括堆叠布置的第一晶体管和第二晶体管，使得所述保护电路的第一晶体管的电源端子电耦合到所述保护电路的第二晶体管的电源端子，其中:

所述保护电路的第一晶体管的控制端子电耦合到所述放大器的第一晶体管的控制端子，

所述保护电路的第一晶体管的电源端子电耦合到所述放大器的第一晶体管的电源端子，

所述保护电路的第二晶体管的控制端子电耦合到所述放大器的第二晶体管的控制端子，和

所述保护电路的第一晶体管的电源端子电耦合到所述放大器的第一晶体管的电源端子。

11.被配置为防止放大器击穿的保护电路，所述保护电路包括：

第一传感元件；和

第一晶体管，包括通过所述第一传感元件电耦合到所述放大器的第二晶体管的控制端子的控制端子，

其中所述保护电路被配置为至少部分地基于所述第一晶体管的控制端子处的阈值功率的存在来减少所述放大器的电源端子处的电压摆动。

12.权利要求11所述的保护电路，还包括第二传感元件，其中所述第一晶体管包括通过所述第二传感元件电耦合到所述第二晶体管的控制端子的电源端子。

13.权利要求12所述的保护电路，其中所述第二晶体管的电源端子是第一电源端子，其中第二晶体管包括第二电源端子，其中所述放大器包括与所述第二晶体管堆叠布置的第三晶体管，使得所述第二晶体管的第二电源端子电耦合到第三晶体管的电源端子，所述保护电路还包括：

第四晶体管，包括电耦合到所述第三晶体管的控制端子的控制端子。