[发明专利]薄膜沉积方法、半导体器件的制作方法及半导体器件

说明书

本申请涉及一种薄膜沉积方法、半导体器件的制作方法及半导体器件。该薄膜沉积方法可包括：将半导体衬底置于沉积室内；向沉积室内充入含有第一反应气体和第二反应气体的混合气体；将射频发生器的射频功率调整至第一射频功率，使得第一反应气体和第二反应气体在第一射频功率下反应，以在半导体衬底上沉积目标薄膜；停止混合气体中第一反应气体的充入，继续混合气体中第二反应气体的充入；将射频发生器的射频功率从第一射频功率升至第二射频功率，使得第二反应气体与沉积室内残余的第一反应气体在第二射频功率下充分反应；使射频发生器的射频功率从第二射频功率以预设速率逐渐减小至零。该方案能够减少颗粒的产生，以避免后续工艺出现问题。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种薄膜沉积方法、半导体器件的制作方法及半导体器件。

背景技术

目前，在制作半导体器件的过程中，通常采用沉积工艺形成所需要薄膜，但在沉积薄膜的过程中会伴随着较多的颗粒产生，也就是说，形成的薄膜上会出现较多的颗粒，这样容易导致后续工艺(例如：蚀刻工艺)出现问题，降低了产品的良率。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本申请的目的在于提供一种薄膜沉积方法、半导体器件的制作方法及半导体器件，该方案能够减少薄膜沉积过程中颗粒的产生，从而避免后续工艺出现问题，提高产品的良率。

本申请第一方面提供了一种薄膜沉积方法，其包括：

将半导体衬底置于沉积室内；

向所述沉积室内充入含有第一反应气体和第二反应气体的混合气体；

将射频发生器的射频功率调整至第一射频功率，使得所述第一反应气体和所述第二反应气体在所述第一射频功率下发生反应，以在所述半导体衬底上沉积目标薄膜；

停止所述混合气体中所述第一反应气体的充入，继续所述混合气体中所述第二反应气体的充入；

将所述射频发生器的射频功率从所述第一射频功率升至第二射频功率，使得所述第二反应气体与所述沉积室内残余的所述第一反应气体在所述第二射频功率下充分反应；

使所述射频发生器的射频功率从所述第二射频功率以预设速率逐渐减小至零。

在本申请的一种示例性实施例中，在将所述射频发生器的射频功率从所述第一射频功率升至第二射频功率之后，且在使所述射频发生器的射频功率从所述第二射频功率以预设速率逐渐减小至零之前，还包括：

停止所述混合气体中所述第二反应气体的充入。

在本申请的一种示例性实施例中，所述第一反应气体包括甲硅烷气体，所述第二反应气体包括一氧化二氮气体，所述目标薄膜为氮氧化硅薄膜。

在本申请的一种示例性实施例中，所述混合气体中所述甲硅烷气体的流量小于所述一氧化二氮气体的流量。

在本申请的一种示例性实施例中，所述甲硅烷气体的流量为100sccm至1000sccm；所述一氧化二氮气体的流量为100sccm至1000sccm。

在本申请的一种示例性实施例中，所述第一射频功率为100W至300W；所述第二射频功率为150W至500W。

在本申请的一种示例性实施例中，所述混合气体除了包含所述第一反应气体和所述第二反应气体，还包含惰性气体。

在本申请的一种示例性实施例中，所述预设速率为10W/s至100W/s。

本申请第二方面提供了一种半导体器件的制作方法，其包括上述任一项所述的薄膜沉积方法。