[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管模块的封装方法及模块在审

专利信息
申请号: 201910717761.1 申请日: 2019-08-05
公开(公告)号: CN112331622A 公开(公告)日: 2021-02-05
发明(设计)人: 马浩华;敖利波;史波;曹俊 申请(专利权)人: 珠海格力电器股份有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L29/739
代理公司: 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 代理人: 吴大建;何娇
地址: 519000*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 绝缘 双极晶体管 模块 封装 方法
【权利要求书】:

1.一种绝缘栅双极晶体管模块的封装方法,其特征在于,包括以下步骤:

在散热基板的凹弧面上构造容纳槽;

在散热基板上构造有容纳槽的一侧添加焊料;

在所述焊料上覆盖衬底,衬底结合面的边线沿投影方向的投影线位于容纳槽的开口的边线沿投影方向的投影线所围成的范围内,所述投影方向为垂直于衬底结合面的方向;

熔化焊料以形成位于凹弧面上且至少部分地位于所述容纳槽内的焊层。

2.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,在散热基板上构造有容纳槽的一侧添加焊料,包括:

在散热基板的凹弧面上以及容纳槽内添加焊料。

3.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,在散热基板上构造有容纳槽的一侧添加焊料,包括:

仅在散热基板的凹弧面上添加焊料,所述焊料的剂量使得焊料被熔化后能够溢流至容纳槽内。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的封装方法,其特征在于,所述容纳槽为方形槽体。

5.根据权利要求4所述的封装方法,其特征在于,所述容纳槽的宽度大于或等于1mm;容纳槽的深度大于或等于25um。

6.根据权利要求1-3中任一项所述的封装方法,其特征在于,在所述焊料上覆盖衬底,衬底结合面的边线沿投影方向的投影线位于容纳槽的开口的边线沿投影方向的投影线所围成的范围内,所述投影方向为垂直于衬底结合面的方向,包括:

所述衬底结合面的边线包括第一边线和第二边线,所述容纳槽包括沿散热基板的弧形方向排列的第一容纳槽和第二容纳槽;

第一边线沿投影方向的投影线位于第一容纳槽的开口的边线沿投影方向的投影线所围成的范围内,第二边线沿投影方向的投影线位于第二容纳槽的开口的边线沿投影方向的投影线所围成的范围内。

7.根据权利要求1-3中任一项所述的封装方法,其特征在于,衬底结合面的边线和衬底结合面上由衬底结合面的边线所围成的区域均与所述焊层接触。

8.一种绝缘栅双极晶体管模块,其特征在于,所述绝缘栅双极晶体管模块包括散热基板、衬底和位于所述散热基板与衬底之间的焊层;

所述散热基板的凹弧面上构造有容纳槽,所述焊层位于所述凹弧面上且至少部分位于所述容纳槽内;

所述衬底上朝向所述散热基板的一面为衬底结合面,所述衬底结合面的边线沿投影方向的投影线位于所述容纳槽的开口的边线沿投影方向的投影线所围成的范围内,所述投影方向为垂直于衬底结合面的方向。

9.根据权利要求8所述的绝缘栅双极晶体管模块,其特征在于,所述容纳槽包括沿散热基板的弧形方向排列的第一容纳槽和第二容纳槽;

所述衬底结合面的边线包括位于所述衬底结合面两端的第一边线和第二边线,所述第一边线沿投影方向的投影线位于所述第一容纳槽的开口的边线沿投影方向的投影线所围成的范围内,所述第二边线沿投影方向的投影线位于所述第二容纳槽的开口的边线沿投影方向的投影线所围成的范围内;

所述焊层位于凹弧面上第一容纳槽和第二容纳槽之间的位置处且至少部分的位于第一容纳槽和第二容纳槽内。

10.根据权利要求8所述的绝缘栅双极晶体管模块,其特征在于,衬底结合面的边线和衬底结合面上由衬底结合面的边线所围成的区域均与所述焊层接触。

11.根据权利要求8所述的绝缘栅双极晶体管模块,其特征在于,所述散热基板为金属基板,所述衬底为直接铜键合衬底。

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