[发明专利]成膜速率监视装置及成膜装置

权利要求书

1.一种成膜速率监视装置，对成膜材料相对于成膜对象物的成膜速率进行检测，其特征在于，

该成膜速率监视装置具备：

石英晶体振子，用于使从蒸发源升华或气化了的所述成膜材料附着；

遮蔽构件，具有用于阻碍所述成膜材料附着于所述石英晶体振子的遮蔽部和用于容许所述附着的开口部，该遮蔽构件通过旋转而能够取得所述遮蔽部位于所述蒸发源与所述石英晶体振子之间的遮蔽状态和所述开口部位于所述蒸发源与所述石英晶体振子之间的非遮蔽状态；

控制部，控制所述遮蔽构件的旋转；以及

取得部，基于所述石英晶体振子的谐振频率的变化而取得成膜速率，

在对所述成膜对象物进行成膜时，所述控制部执行使所述遮蔽构件旋转以在规定的期间内成为所述非遮蔽状态的期间成为第一长度的第一遮蔽模式，

在所述取得部取得所述成膜速率之前进行使规定量的所述成膜材料预先附着于所述石英晶体振子的基底处理时，所述控制部执行使所述遮蔽构件旋转以在所述规定的期间内成为所述非遮蔽状态的期间成为比所述第一长度长的第二长度的第二遮蔽模式。

2.根据权利要求1所述的成膜速率监视装置，其特征在于，

在所述第二遮蔽模式下，所述控制部使所述遮蔽构件旋转，以使所述非遮蔽状态下的旋转速度比所述遮蔽状态下的旋转速度慢。

3.根据权利要求1或2所述的成膜速率监视装置，其特征在于，

所述控制部使所述遮蔽构件旋转，以使所述第二遮蔽模式的所述非遮蔽状态下的旋转速度比所述第一遮蔽模式的所述非遮蔽状态下的旋转速度慢。

4.根据权利要求1所述的成膜速率监视装置，其特征在于，

在所述第二遮蔽模式下，所述控制部使所述遮蔽构件往复旋转，以使在所述第二遮蔽模式下的所述规定的期间内成为所述非遮蔽状态的频率比在所述第一遮蔽模式下的所述规定的期间内成为所述非遮蔽状态的频率高。

5.根据权利要求1或2所述的成膜速率监视装置，其特征在于，

所述开口部在所述遮蔽构件的旋转方向上的宽度比所述石英晶体振子在所述旋转方向上的宽度窄。

6.根据权利要求1或2所述的成膜速率监视装置，其特征在于，

在所述取得部取得所述成膜速率时执行所述第一遮蔽模式。

7.根据权利要求1或2所述的成膜速率监视装置，其特征在于，

在不进行对所述成膜对象物的成膜的期间内执行所述第二遮蔽模式。

8.一种成膜装置，其特征在于，

该成膜装置具备：

腔室，收容成膜对象物；

蒸发源容器，配置在所述腔室内，收容成膜材料；

加热控制部，对所述蒸发源容器的加热温度进行控制，具有对所述蒸发源容器进行加热的加热部件；以及

配置在所述腔室内、根据权利要求1或2所述的成膜速率监视装置，

所述加热控制部基于由所述成膜速率监视装置取得的成膜速率来控制所述加热温度。

9.根据权利要求8所述的成膜装置，其特征在于，

所述加热控制部基于在所述成膜速率监视装置执行所述第一遮蔽模式的期间所取得的所述成膜速率，控制所述加热温度。

10.根据权利要求8所述的成膜装置，其特征在于，

在所述腔室中未收容有所述成膜对象物的期间，所述加热控制部对所述蒸发源容器进行加热，所述成膜速率监视装置执行所述第二遮蔽模式。