[发明专利]易于集成的远端温度测量系统

权利要求书

1.一种易于集成的远端温度测量系统，其特征在于，包括：测温芯片(340)以及被测芯片(370)；

被测芯片(370)包括CMOS ESD结构，测温芯片(340)连接所述CMOS ESD结构，利用寄生二极管特性进行温度检测，并通过测温芯片(340)内部的校准电路进行温度补偿。

2.根据权利要求1所述的易于集成的远端温度测量系统，其特征在于，所述校准电路包括：

二阶Δ∑ADC模块(380)，输入端连接电压Vdd1与被测芯片(370)的所述CMOS ESD结构；

N-Factor补偿模块，连接在二阶Δ∑ADC模块(380)的输出端，对二阶Δ∑ADC模块(380)输出的数据进行N-Factor补偿，得到最终的温度数据。

3.根据权利要求2所述的易于集成的远端温度测量系统，其特征在于，二阶Δ∑ADC模块(380)包括依次连接的：Δ∑调制器(381)、数字滤波器(382)和数字抽取器(383)。

4.根据权利要求2所述的易于集成的远端温度测量系统，其特征在于，所述CMOS ESD结构包括主ESD结构和二次ESD结构，所述主ESD结构与所述二次ESD结构相连。

5.根据权利要求4所述的易于集成的远端温度测量系统，其特征在于，所述主ESD结构包括：NMOS管(375)和电阻(374)，电阻(374)的两端分别连接NMOS管(375)的源极和栅极，NMOS管(375)的源极接地。

6.根据权利要求5所述的易于集成的远端温度测量系统，其特征在于，所述二次ESD结构包括：PMOS管(371)、NMOS管(372)和电阻(373)，PMOS管(371)的漏极、NMOS管(372)的漏极以及电阻(373)的一端相连，电阻(373)的另一端与NMOS管(375)的漏极相连。

7.根据权利要求6所述的易于集成的远端温度测量系统，其特征在于，PMOS管(371)的栅极和源极连接电压Vdd2，NMOS管(372)的栅极、源极接地。

8.根据权利要求7所述的易于集成的远端温度测量系统，其特征在于，电压Vdd1大于电压Vdd2。

9.根据权利要求8所述的易于集成的远端温度测量系统，其特征在于，流过PMOS管(371)的电流I_{371_pmos}为：

其中，μC_ox为PMOS管工艺常数,为PMOS管宽长比,(V_gs-V_th)为PMOS管过驱动电压。

10.根据权利要求9所述的易于集成的远端温度测量系统，其特征在于，将PMOS管(371)等效为寄生二极管，寄生二极管的基极-发射极电压V_BE与安置电流存在确定的对数关系，当使用两个不同电流值激励寄生二极管时，得到的基极-发射极电压V_BE1和V_BE2的差值ΔV_BE：

其中，

N为寄生二极管非理想因子，k为波耳兹曼常数，值为1.38X10^-23，q为库公电荷，值为1.6X10^-19,T为开尔文温度，I₂和I₁为PMOS管偏置电流，I₂和I₁的比值为M，I_S为PMOS管饱和电流。