[发明专利]一种三元半导体复合薄膜及其制备方法及其应用在审
| 申请号： | 201910710956.3 | 申请日： | 2019-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN110592596A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 郭惠霞;刘籽烨;李亮亮;苏策;于冬梅;张玉蓉 | 申请（专利权）人： | 西北师范大学 |
| 主分类号： | C23F13/14 | 分类号： | C23F13/14;C25D11/26;C01G11/02;C01G49/00 |
| 代理公司： | 11279 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 | 代理人： | 贾慧娜 |
| 地址： | 730010 *** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备方法和应用 三元半导体 复合薄膜 薄膜 半导体材料 空穴 光电化学性质 光生阴极保护 阴极保护技术 阳极氧化法 防腐保护 分离效果 光电化学 光生电荷 连续离子 光响应 宽带隙 迁移率 水热法 吸附法 吸收光 钛片 不锈钢 制备 复合 | ||
1.一种三元半导体复合薄膜，其特征在于，包括以下组分：TiO2、CdS和ZnFe2O4。
2.一种权利要求1所述的三元半导体复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤(1)：将钛片进行预处理，然后采用阳极氧化法制备TiO2纳米管，得到覆有TiO2纳米管薄膜的钛片，再将所述覆有TiO2纳米管薄膜的钛片煅烧退火后取出基片样品待用；
步骤(2)：采用连续离子层吸附法制备CdS纳米颗粒，将步骤(1)所得的基片样品依次在Cd(NO3)2溶液、蒸馏水、Na2S溶液、蒸馏水中循环浸泡，每种溶液中各浸泡1min，在四种溶液中按序循环浸泡15次，之后干燥，取出基片样品待用；
步骤(3)：将步骤(2)所得的基片样品放入反应釜中，然后采用水热法制备ZnFe2O4纳米片，再将产物洗涤，烘干得到三元复合薄膜。
3.根据权利要求2所述的一种三元半导体复合薄膜的制备方法，其特征在于：在步骤(1)中，所述TiO2纳米管制备采用的原料为氟化铵，所用溶剂为97％的乙二醇水溶液。
4.根据权利要求2所述的一种三元半导体复合薄膜的制备方法，其特征在于：在步骤(1)中，所述阳极氧化法的反应条件为20V电压，反应时间分别为1h；所述煅烧温度为450℃，退火时间为2h。
5.根据权利要求2所述的一种三元半导体复合薄膜的制备方法，其特征在于：在步骤(2)中，所述CdS纳米颗粒的制备采用的原料为硝酸镉和硫化钠，所用溶剂为水。
6.根据权利要求2所述的一种三元半导体复合薄膜的制备方法，其特征在于：在步骤(3)中，所述ZnFe2O4纳米片制备采用的原料为硝酸铁和硝酸锌，所用溶剂为水。
7.根据权利要求2所述的一种三元半导体复合薄膜的制备方法，其特征在于：在步骤(3)中，所述水热法反应温度为100℃，反应时间为10h；干燥温度为60℃，退火时间为4h。
8.一种权利要求1所述的三元半导体复合薄膜的应用，其特征在于将三元半导体复合薄膜用作光阴极保护材料。
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