[发明专利]量子点及其制备方法

说明书

本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种量子点及其制备方法。该量子点包括Cd_xZn_1‑xTe_yS_1‑y量子点核和包覆在所述Cd_xZn_1‑xTe_yS_1‑y量子点核表面的ZnS壳层；其中，0＜x≤1，0＜y≤1。本发明通过在Cd_xZn_1‑xTe_yS_1‑y合金量子点核表面包覆具有更宽能级的ZnS半导体壳层，形成具有核壳结构的量子点，可以进一步提高量子点的稳定性，而且可以显著提升量子点的量子产率并且可有效抑制长波区缺陷态发光，在光电技术领域有广泛的应用前景。

技术领域

本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种量子点及其制备方法。

背景技术

半导体量子点(Quantum Dot，QDs)由于其独特的光学特性，在量子点发光器件(如量子点发光二极管，Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)、显示器和其他光电器件中具有很大的应用前景。众所周知，光致发光(Photoluminescence，PL)发射可以通过改变颗粒的大小来获得，如CdS和CdSe等二元II-VI量子点已被深入研究。然而，这些二元QD系统的量子点由于颗粒细小而难以被覆盖层钝化，导致量子点的不稳定性及较低的量子产率。

近来，合金化的基于Zn_1-xCd_x的硫族化物量子点已经成为极有吸引力的可应用于光电器件的发光材料，因为它们的发射峰位可以容易地通过调整组分比例以覆盖整个可见光区域，而且这些合金量子点具有更高的稳定性和更优异的发光性能，但是作为量子点材料性能还有待进一步完善，例如，CdZnTe是一种光电性能优良的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，具有吸收系数高，禁带宽度与太阳光谱相匹配等优点，但CdZnTe量子点稳定性和量子产率还是较差。

因此，现有技术有待改进。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种量子点及其制备方法，旨在解决现有CdZnTe类量子点不稳定、且量子产率低的技术问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明一方面提供一种量子点，所述量子点包括Cd_xZn_1-xTe_yS_1-y量子点核和包覆在所述Cd_xZn_1-xTe_yS_1-y量子点核表面的ZnS壳层；其中，0＜x≤1，0＜y≤1。

本发明提供的量子点使一种核壳结构的量子点，包括Cd_xZn_1-xTe_yS_1-y量子点核和包覆在该Cd_xZn_1-xTe_yS_1-y量子点核表面的ZnS壳层，Cd_xZn_1-xTe_yS_1-y量子点核是合金量子点核，具有较好的稳定性和优异的发光性能，而通过在该Cd_xZn_1-xTe_yS_1-y合金量子点核表面包覆具有更宽能级的ZnS半导体壳层，形成具有核壳结构的量子点，可以进一步提高量子点的稳定性，而且可以显著提升量子点的量子产率并且可有效抑制长波区缺陷态发光，在光电技术领域有广泛的应用前景。

本发明另一方面提供一种量子点的制备方法，包括如下步骤：

提供阳离子前驱体，将所述阳离子前驱体在第一温度条件下溶于非极性有机溶剂中，得到阳离子前驱体溶液；