[发明专利]一种铋系半导体Bi2MO6复合TiO2纳米管阵列的制备方法在审
| 申请号： | 201910710438.1 | 申请日： | 2019-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN110386622A | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 刘世凯;周淑慧;王森 | 申请（专利权）人： | 河南工业大学 |
| 主分类号： | C01G23/053 | 分类号： | C01G23/053;C01G39/00;C01G41/00;C25D11/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 450001 河南省郑州市高新技*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 复合 铋系半导体 电化学阳极氧化法 半导体复合材料 空穴 光电转换材料 光电转换效率 纳米复合材料 化学稳定性 纳米异质结 表面制备 光生电子 应用提供 有效抑制 金属钛 钛合金 半导体 增高 开发 | ||
1.一种铋系半导体Bi2MO6复合TiO2纳米管阵列的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：
S1：在含钛金属基体上，通过阳极氧化法制备TiO2纳米管有序阵列；
S2：通过水热法将Bi2MO6与TiO2纳米管阵列进行复合，制备得到一种铋系半导体Bi2MO6复合的TiO2纳米管阵列。
2.根据权利要求1所述的一种铋系半导体Bi2MO6复合TiO2纳米管阵列的制备方法，其特征在于，所述Bi2MO6，M可以为W和Mo中的一种或两种。
3.根据权利要求1所述的一种铋系半导体Bi2MO6复合TiO2纳米管阵列的制备方法，其特征在于，所述含钛金属基体为金属钛或钛合金。
4.根据权利要求1所述的一种铋系半导体Bi2MO6复合TiO2纳米管阵列的制备方法，其特征在于，S1的具体步骤为：
S11：选用电解液为0.1mol/L H3PO4+0.5wt%NH4F的水溶液；
S12：将含钛金属基体在0.1mol/L H3PO4+0.5wt%NH4F电解液体系中，于20～60V下阳极氧化1～24h，在含钛金属基体表面生长出高度有序的TiO2纳米管阵列。
5.根据权利要求4所述的一种铋系半导体Bi2MO6复合TiO2纳米管阵列的制备方法，其特征在于，S2的具体步骤为：
S21：按物质的量比为2:1分别称取Bi(NO3)3·5H2O和Na2MO4·2H2O；将 Bi(NO3)3·5H2O放入烧杯中，加入适量的水，并在超声作用下使Bi(NO3)3·5H2O完全溶解；将Na2MO4·2H2O放入另一烧杯中，同样加入适量的水，在超声作用下使Na2MO4·2H2O完全溶解，再将其缓慢倒入到含Bi(NO3)3·5H2O的水溶液中，继续超声搅拌0.5~2h；向上述混合溶液中加入1mol/L的硝酸溶液调至PH为1-3，接着称取一定量的CTAB溶于水中，加入混合溶液，再次超声搅拌0.2~1h；
S22：将TiO2纳米管阵列置于反应釜中，再将上述溶液引流至其中，于150~200℃下反应10~20h，取出样片用去离子水超声洗净，置于真空干燥箱中于60~80℃下干燥1~2h；
S23：将上述样片置于箱式炉中，于380～550℃热处理2~3h，制备得到一种铋系半导体Bi2MO6复合的TiO2纳米管阵列。
6.一种铋系半导体Bi2MO6复合TiO2纳米管阵列的制备方法，其特征在于，由权利要求1～5任一所述方法制备得到。
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