[发明专利]五面附金属包封封装结构及其制备方法在审
申请号: | 201910708384.5 | 申请日: | 2019-08-01 |
公开(公告)号: | CN110517962A | 公开(公告)日: | 2019-11-29 |
发明(设计)人: | 姚兰忠;谭小春 | 申请(专利权)人: | 合肥矽迈微电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/78;H01L23/31 |
代理公司: | 31218 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) | 代理人: | 翟羽<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
地址: | 230001 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装结构 金属包封 电镀 产品性能 单向传输 内部信号 防氧化 气密性 散热性 屏蔽 半切 多向 面被 制备 封装 | ||
本发明提供一种五面附金属包封封装结构及其制备方法,利用半切、电镀、防氧化等工艺,所形成的封装结构五面被电镀的金属包封,可以使得封装结构实现内部信号的多向屏蔽及单向传输,并提高封装结构散热性、封装的气密性,进而提高产品性能。
技术领域
本发明涉及半导体封装领域,尤其涉及一种五面附金属包封封装结构及其制备方法。
背景技术
随着电子产品的发展,半导体科技已广泛地应用于制造内存、中央处理器(CPU)、液晶显示装置(LCD)、发光二极管(LED)、激光二极管以及其它装置或芯片组等。由于半导体组件、微机电组件(MEMS)或光电组件等电子组件具有微小精细的电路及构造,因此为避免粉尘、酸碱物质、湿气和氧气等污染或侵蚀电子组件,进而影响其可靠度及寿命,工艺上需通过封装技术来提供上述电子组件有关电能传送(Power Distribution)、信号传送(Signal Distribution)、热量散失(Heat Dissipation),以及保护与支持(Protectionand Support)等功能。
半导体芯片在被封装形成封装结构之后,根据使用情况的不同,该封装结构还要与其它电器元件连接或组装。但是现有的封装结构散热性、封装的气密性都较差,且无法实现内部信号的多向屏蔽及单向传输,进而影响产品的性能。
因此,亟需一种新型的封装结构,克服上述封装结构的缺点。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种五面附金属包封封装结构及其制备方法,其能够提高封装结构散热性、封装的气密性,且可以实现内部信号的多向屏蔽及单向传输,提高产品性能。
为了实现上述目的,本发明提供了一种五面附金属包封封装结构的制备方法,包括如下步骤:(1)提供一待处理塑封产品,所述待处理塑封产品包括一载体,在所述载体上设有塑封体,所述塑封体内塑封有至少一电子组件,所述电子组件的靠近所述载体的一面具有至少一引脚;(2)从远离所述引脚的一侧分别对所述塑封体进行X方向和Y方向的半切;(3)对所述待处理塑封产品进行电镀,以在所有半切的切口两侧面分别生成金属墙体,及在所述塑封体的第一表面生成金属盖体,所述塑封体的第一表面为远离所述引脚的一侧表面;(4)采用填充物填充所述切口;(5)移除所述载体,并对所述塑封体的第二表面进行处理,将所述引脚的顶端暴露于所述塑封体,所述第二表面与所述第一表面相对;(6)去除所述填充物,获取至少一个五面附金属包封封装结构。
为了实现上述目的,本发明还提供一种五面附金属包封封装结构,包括:一塑封体,其第一表面包覆有金属盖体,其四个侧面均包覆有金属墙体;至少一电子组件,塑封于所述塑封体内,所述电子组件的远离所述金属盖体的一面具有至少一引脚,所述引脚的顶端暴露于所述塑封体的第二表面,所述第二表面与所述第一表面相对。
本发明的优点在于:本发明五面附金属包封封装结构制备方法,利用半切、电镀、防氧化等工艺,所形成的封装结构五面被电镀的金属包封,可以使得封装结构实现内部信号的多向屏蔽及单向传输,并提高封装结构散热性、封装的气密性,进而提高产品性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施方式中的技术方案,下面将对实施方式描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1,本发明五面附金属包封封装结构的制备方法的步骤示意图;
图2~图8B,本发明五面附金属包封封装结构制备方法的一实施方式的工艺流程图;
图9A-9B,本发明五面附金属包封封装结构一实施方式的立体图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造