[发明专利]利用发光二极管的发光装置

权利要求书

1.一种发光装置，包括：

包括发光区域和非发光区域的基板，其中所述基板包括其中硅(Si)原子化学键合至选自由钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、锌(Zn)、碲(Te)和它们的组合组成的群组中的金属原子的化合物；

设置在所述基板的上方且包括第一电极、发光层和第二电极的发光二极管；

与所述第一电极直接接触的辅助电极；

设置在所述基板和所述发光二极管之间的缓冲层；

设置在所述缓冲层和所述基板之间的光提取层；以及

设置在所述缓冲层和所述光提取层之间的平坦化层；

其中所述第一电极包括与所述辅助电极直接接触的接触部、设置在所述发光区域中的电极部、和设置在所述接触部和所述电极部之间的防短路部；

其中所述发光二极管、所述缓冲层、和所述平坦化层具有基本上相同的折射率，所述基板和所述光提取层具有基本上相同的折射率。

2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述防短路部具有比所述接触部和所述电极部中的至少一个更小的线宽。

3.如权利要求1所述的发光装置，进一步包括设置在所述第一电极上且限定所述发光层的所述发光区域的堤层，其中所述辅助电极沿着所述堤层延伸。

4.如权利要求3所述的发光装置，其中所述堤层覆盖所述接触部和所述防短路部中的每一个的上表面和侧表面，且覆盖所述电极部的侧表面。

5.如权利要求1所述的发光装置，进一步包括设置在所述非发光区域处的至少一个衬垫。

6.如权利要求1所述的发光装置，其中所述缓冲层和所述光提取层设置在对应所述发光区域的区域上。

7.如权利要求6所述的发光装置，其中所述第一电极沿着所述缓冲层和所述光提取层的外侧延伸。

8.如权利要求1所述的发光装置，其中所述光提取层包括无机颗粒。

9.如权利要求1所述的发光装置，其中所述平坦化层包括选自由无机氮化物、无机氧化物、无机氧氮化物、和它们的组合组成的群组中的无机材料。

10.如权利要求1所述的发光装置，其中所述平坦化层包括选自由聚丙烯酸酯类树脂、聚酰亚胺类树脂、和它们的组合组成的群组中的有机材料。

11.如权利要求1所述的发光装置，其中在所述基板中所述硅原子和所述金属原子以介于7：3和3：7之间的摩尔比进行混合。

12.如权利要求1所述的发光装置，其中所述基板具有介于1.7和2.3之间的折射率。

13.如权利要求1所述的发光装置，其中所述金属原子包括钛。

14.如权利要求1所述的发光装置，其中所述缓冲层包括选自由硅氮化物(Si_xN_y)、硅氧氮化物(Si_xO_yN_z)、硅氧化物(Si_xO_y)、氧化锌(ZnO)、和它们的组合组成的群组的无机材料和光亚克力化合物中的至少一种材料。

15.如权利要求1所述的发光装置，其中所述硅原子和所述金属原子通过氧撑连接(-O-)进行键合。

16.如权利要求1所述的发光装置，其中在所述基板和所述光提取层之间的界面包括弯曲的表面。