[发明专利]一种近零介电常数可控基底及其制备方法在审
| 申请号： | 201910705905.1 | 申请日： | 2019-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN110453183A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 洪瑞金;颜廷贞;张大伟;师境奇;李正旺;陶春先 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30;C23C14/08;C23C14/06;C23C14/58 |
| 代理公司： | 31204 上海德昭知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程宗德<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 200093*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介电常数 基底 可控 制备 激光参数 电子束蒸发法 光子信号处理 电子束真空 非线性光学 脉冲激光器 薄膜改性 大气环境 辐照薄膜 工艺周期 光子器件 透明导电 蒸发设备 灵敏度 光互连 波段 膜料 实部 沉积 薄膜 兼容 洁净 调控 应用 | ||
1.一种近零介电常数可控基底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，将洁净的基片放置于电子束真空蒸发设备中，采用电子束蒸发法在所述基片上沉积具有近零介电常数特性的膜料，得到透明导电的薄膜；
步骤2，在大气环境中，采用脉冲激光器以一定激光参数辐照所述薄膜的表面，使所述薄膜改性得到近零介电常数可控基底。
2.根据权利要求1所述的近零介电常数可控基底的制备方法，其特征在于：
其中，步骤2中，所述脉冲激光器为1064纳秒脉冲激光器，该1064纳秒脉冲激光器的激光总功率为20W，所述薄膜的厚度为300nm，
所述激光参数包含焦距7.5cm，脉宽13ns，频率170KHz，光斑大小0.1mm，线间距0.01mm，扫描速率600mm/s，激光功率为所述激光总功率的10％。
3.根据权利要求2所述的近零介电常数可控基底的制备方法，其特征在于：
其中，所述激光功率还可以为所述激光总功率的11％、12％或者13％。
4.根据权利要求1所述的近零介电常数可控基底的制备方法，其特征在于：
其中，所述膜料为氧化铟锡、掺铝的氧化锌或氮化钛中的任意一种。
5.根据权利要求4所述的近零介电常数可控基底的制备方法，其特征在于：
其中，所述氧化铟锡的纯度为99.99％，由质量分数之比为9：1的氧化铟和氧化锡组成。
6.根据权利要求1所述的近零介电常数可控基底的制备方法，其特征在于：
其中，步骤1中，在真空度低于9.0×10-4Pa的条件下在所述基片上沉积膜料。
7.根据权利要求1所述的近零介电常数可控基底的制备方法，其特征在于：
其中，步骤1中，所述基片为石英基片。
8.一种近零介电常数可控基底，其特征在于，由权利要求1-7中任一项所述的近零介电常数可控基底的制备方法制备得到。
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